| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·nc-Si：H薄膜太阳电池的研究现状 | 第9-12页 |
| ·nc-Si：H薄膜电池的国外研究现状 | 第9-10页 |
| ·nc-Si：H薄膜电池的国内研究现状 | 第10-12页 |
| ·研究意义与技术路线 | 第12-14页 |
| ·研究意义 | 第12页 |
| ·实验技术路线 | 第12-14页 |
| 第2章 实验方法 | 第14-19页 |
| ·样品制备 | 第14-15页 |
| ·衬底清洗 | 第14页 |
| ·PECVD系统 | 第14-15页 |
| ·样品制备 | 第15页 |
| ·分析与测试方法 | 第15-19页 |
| ·厚度测量 | 第15-16页 |
| ·组分分析 | 第16页 |
| ·晶化率计算 | 第16-17页 |
| ·光吸收分析 | 第17-18页 |
| ·电导率计算 | 第18页 |
| ·霍尔测试 | 第18-19页 |
| 第3章 nc-Si(P)：H薄膜的制备及其光电特性 | 第19-34页 |
| ·PH_3浓度对nc-Si(P)膜的影响 | 第19-29页 |
| ·晶化率和晶粒尺寸 | 第19-21页 |
| ·生长速率 | 第21-22页 |
| ·组分分析 | 第22-25页 |
| ·光吸收系数和光学带隙 | 第25-28页 |
| ·电学特性 | 第28-29页 |
| ·衬底温度对nc-Si(P)：H膜的影响 | 第29-33页 |
| ·生长速率 | 第30页 |
| ·薄膜结构 | 第30-31页 |
| ·光学特性 | 第31-32页 |
| ·电学特性 | 第32-33页 |
| ·SiH_4浓度对nc-Si(P)：H膜光学带隙的影响 | 第33-34页 |
| 第4章 nc-Si(B)：H薄膜的制备及其光电特性 | 第34-44页 |
| ·nc-Si(B)：H的结构表征 | 第34-39页 |
| ·B_2H_6浓度对其晶化率和晶粒尺寸的影响 | 第34-35页 |
| ·B_2H_6浓度对其生长速率的影响 | 第35-36页 |
| ·B_2H_6浓度对其组分的影响 | 第36-37页 |
| ·衬底温度对nc-Si(B)：H薄膜晶化率的影响 | 第37-38页 |
| ·SiH_4浓度对nc-Si(B)：H晶化率的影响 | 第38-39页 |
| ·射频功率对nc-Si(B)：H晶化率的影响 | 第39页 |
| ·nc-Si(B)：H的光学特性 | 第39-42页 |
| ·B_2H_6浓度对nc-Si(B)：H薄膜光吸收系数和光学带隙的影响 | 第39-41页 |
| ·衬底温度对光学带隙的影响 | 第41-42页 |
| ·nc-Si(B)：H的电学特性 | 第42-44页 |
| ·B_2H_6浓度对nc-Si(B)：H薄膜电导率的影响 | 第42页 |
| ·衬底温度对nc-Si(B)：H薄膜电导率的影响 | 第42-43页 |
| ·射频功率对nc-Si(B)：H薄膜电导率的影响 | 第43-44页 |
| 第5章 p-i-n太阳电池制备及其光伏特性 | 第44-47页 |
| ·p(nc-Si：H)/i(nc-Si：H)/n(nc-Si：H)型结构电池的制备 | 第44-45页 |
| ·i层厚度对电池性能的影响 | 第45-47页 |
| 第6章 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第54页 |
