| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-12页 |
| ·研究背景及意义 | 第9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-11页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第11-12页 |
| 第2章 实验方法 | 第12-16页 |
| ·生长设备 | 第12-13页 |
| ·测试方法 | 第13-16页 |
| ·膜厚测量 | 第13页 |
| ·X射线衍射分析 | 第13页 |
| ·傅立叶红外光谱分析 | 第13-14页 |
| ·X射线光电子谱分析 | 第14-15页 |
| ·紫外可见光谱测试分析 | 第15-16页 |
| 第3章 工艺参数对a-SiC：H薄膜生长的影响 | 第16-34页 |
| ·a-SiC：H的制备及结构表征 | 第16-19页 |
| ·a-SiC：H的制备 | 第16页 |
| ·结构表征 | 第16-19页 |
| ·射频功率 | 第19-23页 |
| ·生长速率 | 第19-20页 |
| ·结构表征 | 第20-22页 |
| ·光学带隙 | 第22-23页 |
| ·衬底温度 | 第23-26页 |
| ·生长速率 | 第23-24页 |
| ·结构表征 | 第24-26页 |
| ·光学带隙 | 第26页 |
| ·反应压强 | 第26-30页 |
| ·生长速率 | 第27-28页 |
| ·结构表征 | 第28-29页 |
| ·光学带隙 | 第29-30页 |
| ·气体流量比 | 第30-34页 |
| ·生长速率 | 第30-31页 |
| ·结构表征 | 第31-33页 |
| ·光学带隙 | 第33-34页 |
| 第4章 p-(a-SiC：H)薄膜的制备与表征 | 第34-39页 |
| ·p-(a-SiC：H)薄膜的制备 | 第34页 |
| ·艺条件对p-(a-SiC：H)薄膜生长速率及电学性质的影响 | 第34-37页 |
| ·B的掺杂量 | 第34-36页 |
| ·衬底温度 | 第36-37页 |
| ·SiC的掺杂理论 | 第37-39页 |
| 第5章 p-(a-SiC：H)/i-(nc-Si：H)/n-(nc-Si：H)太阳电池的制作与光伏性能 | 第39-47页 |
| ·p-(a-SiC：H)薄膜作为窗口层的p-i-n型太阳电池 | 第39-42页 |
| ·p-i-n型太阳能电池的原理 | 第39-40页 |
| ·p-(a-SiC：H)/i-(nc-Si：H)/n-(nc-Si：H)太阳电池的制备 | 第40-42页 |
| ·p-(a-SiC：H)薄膜厚度对太阳电池特性的影响 | 第42-44页 |
| ·具有不同窗口层的p-i-n太阳电池 | 第44-47页 |
| 第6章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第53页 |
