首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体理论论文--半导体量子理论论文

关于石墨烯电子结构调控的理论探讨

摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第1章 绪论第14-26页
   ·纳米碳材料综述第14-18页
     ·富勒烯(以 C60为例)第15-16页
     ·碳纳米管第16-17页
     ·纳米金刚石第17-18页
   ·石墨烯综述第18-23页
     ·石墨烯的发现前后第18-19页
     ·石墨烯的物理性质第19-23页
       ·电输运性质第20-21页
       ·光学性质第21-22页
       ·力学性能第22-23页
       ·热性能第23页
   ·本论文的结构及主要内容第23-26页
第2章 描述石墨烯电子性质的理论方法概述第26-42页
   ·能带结构的计算方法第27-34页
     ·紧束缚近似方法第27-30页
     ·Dirac 方程方法第30-34页
   ·研究石墨烯电子输运特性的理论方法第34-42页
     ·Kubo 公式第34-37页
     ·Landauer-Büttiker 公式第37-42页
第3章 关于调控石墨烯边缘态的理论探讨第42-56页
   ·理论模型及公式第42-49页
   ·半无限长石墨烯纳米条带的边缘格林函数第49-51页
   ·门电压和杂质对边缘态的影响第51-55页
   ·本章小结第55-56页
第4章 有带隙的石墨烯结构在外磁场下的电子输运性质第56-74页
   ·理论模型与公式第57-66页
   ·数值结果与讨论第66-71页
   ·弱散射极限下的电导率峰第71-73页
   ·本章小结第73-74页
第5章 石墨烯超晶格的光输运和电子输运性质第74-90页
   ·石墨烯超晶格的能带结构和朗道能谱第74-78页
   ·石墨烯超晶格的光电导率第78-82页
   ·石墨烯超晶格在外磁场下的电子输运性质第82-87页
   ·本章小结第87-90页
第6章 石墨烯线缺陷调控下的电子特性第90-112页
   ·前言第90页
   ·线缺陷调控下石墨烯的谷极化电子输运特性第90-100页
     ·理论描述第90-96页
     ·数值结果第96-100页
     ·小结第100页
   ·嵌有线缺陷的石墨烯电子态的 Dirac 方程描述第100-112页
     ·Dirac 方程的旋量波函数连接条件第100-104页
     ·Dirac 方程描述的电子态第104-110页
     ·小结第110-112页
结论第112-116页
参考文献第116-130页
在学期间所取得的科研成果第130-132页
致谢第132页

论文共132页,点击 下载论文
上一篇:114In能级结构和174Os形状演化的研究
下一篇:钒、锡和钼原子及钼一价离子能级辐射参数的测量研究