摘要 | 第1-9页 |
Abstract | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第12-34页 |
·分子印迹技术简介 | 第12页 |
·分子印迹技术基本原理及构成研究 | 第12-15页 |
·分子印迹技术基本原理 | 第12-13页 |
·分子印迹技术的分类 | 第13-14页 |
·分子印迹聚合物的构成及制备过程 | 第14-15页 |
·分子印迹聚合膜的制备方法及机理研究 | 第15-17页 |
·分子印迹膜的制备方法 | 第16-17页 |
·分子印迹膜的分离机理 | 第17页 |
·分子印迹聚合膜电化学传感器的类型和应用 | 第17-19页 |
·分子印迹膜电化学传感器类型 | 第18-19页 |
·分子印迹膜电化学传感器的应用 | 第19页 |
·现存问题 | 第19-20页 |
·发展趋势 | 第20-21页 |
·本论文的设想和工作思路 | 第21-23页 |
参考文献 | 第23-34页 |
第二章 水杨酸分子印迹膜修饰电极的制备及伏安测定 | 第34-47页 |
·引言 | 第34-35页 |
·实验部分 | 第35-36页 |
·仪器和试剂 | 第35页 |
·水杨酸分子印迹膜电极的制备 | 第35页 |
·电化学检测 | 第35页 |
·样品检测 | 第35-36页 |
·结果与讨论 | 第36-42页 |
·分子印迹膜电聚合 | 第36-39页 |
·分子印迹膜的电化学特性 | 第39-40页 |
·富集时间 | 第40页 |
·传感器的选择性 | 第40-41页 |
·水杨酸的电化学检测 | 第41-42页 |
·重现性和稳定性 | 第42页 |
·样品分析 | 第42页 |
·小结 | 第42-44页 |
参考文献 | 第44-47页 |
第三章 基于光聚合技术的氟哌酸分子印迹安培传感器的研制 | 第47-63页 |
·引言 | 第47-48页 |
·实验部分 | 第48-49页 |
·仪器和试剂 | 第48页 |
·氟哌酸分子印迹安培传感器的制备 | 第48页 |
·氟哌酸的检测 | 第48-49页 |
·结果与讨论 | 第49-57页 |
·分子印迹聚合物的制备过程 | 第49-50页 |
·光谱表征 | 第50-51页 |
·分子印迹膜的扫描电子显微镜像 | 第51-52页 |
·分子印迹膜的电化学性质 | 第52-54页 |
·分子印迹安培传感器的分子识别 | 第54-55页 |
·富集时间 | 第55页 |
·氟哌酸的电化学检测 | 第55-56页 |
·干扰试验 | 第56-57页 |
·重现性和稳定性 | 第57页 |
·样品检测分析 | 第57页 |
·小结 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-63页 |
第四章 碳纳米管修饰钴(II)离子印迹电化学传感器的制备 | 第63-77页 |
·引言 | 第63-64页 |
·实验部分 | 第64-66页 |
·仪器和试剂 | 第65页 |
·羧基化碳纳米管修饰电极(c-MWNTs/GCE)的制备 | 第65页 |
·电极的制备 | 第65-66页 |
·电化学检测 | 第66页 |
·结果与讨论 | 第66-73页 |
·羧基化碳纳米管的表面形貌 | 第66-67页 |
·离子印迹膜的表面形貌 | 第67-68页 |
·EDX光谱 | 第68-69页 |
·离子印迹膜电聚合 | 第69页 |
·离子印迹膜的电化学特性 | 第69-71页 |
·分析条件的优化 | 第71-72页 |
·传感器的选择性 | 第72页 |
·Co~(2+)离子的电化学检测 | 第72页 |
·重现性和稳定性 | 第72-73页 |
·小结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
硕士期间研究成果 | 第77-78页 |
致谢 | 第78页 |