首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体性质论文

多孔硅的发光性能研究

摘要第1-3页
ABSTRACT第3-7页
第一章 引言第7-19页
   ·绪论第7页
   ·多孔硅的制备第7-10页
     ·电化学腐蚀法(即阳极腐蚀法 Anodic etching)第8页
     ·光化学腐蚀法第8页
     ·化学腐蚀法第8-9页
     ·火花腐蚀技术(Spark-erosion technique)第9页
     ·水热腐蚀技术(Hydro-thermal etching)第9-10页
   ·多孔硅的后处理第10-11页
     ·氧化处理第10页
     ·钝化处理第10-11页
     ·超临界干燥处理第11页
   ·多孔硅的微结构特征及其化学组成第11-12页
   ·多孔硅的应用第12-19页
     ·绝缘材料第12-13页
     ·敏感元件及传感器第13-14页
     ·照明材料及太阳能电池第14-15页
     ·光电器件第15-17页
     ·合成其它材料的模板第17页
     ·在其他方面的应用第17-19页
第二章 理论基础第19-23页
   ·多孔硅的形成机理第19-20页
     ·Beale 耗尽模型第19页
     ·扩散限制模型第19-20页
     ·量子限制模型第20页
   ·多孔硅的发光机理第20-23页
     ·量子限制效应(QCE)第20-21页
     ·硅本征表面态模型第21-22页
     ·量子限制/发光中心模型第22-23页
第三章 扩散 Zn~(2+)多孔硅的光致发光性能第23-28页
   ·样品的制备第23-24页
   ·测试结果及分析第24-27页
   ·小结第27-28页
第四章 溅射有金属锡的多孔硅光致发光第28-32页
   ·样品的制备第28页
   ·测试结果及分析第28-31页
   ·小结第31-32页
第五章 嵌入聚合物聚苯胺(PANI)的多孔硅的光致发光性能第32-35页
   ·样品的制备第32-33页
   ·测试结果及分析第33-34页
   ·小结第34-35页
第六章 总结与展望第35-37页
参考文献第37-43页
硕士期间发表论文第43-44页
致 谢第44-45页

论文共45页,点击 下载论文
上一篇:激光共振激发碱原子的荧光光谱
下一篇:遗传算法研究Pd_n,Pt_n(n=2-57)团簇的结构特性