SiO2和Si3N4薄膜的PECVD沉积及在半导体光电子器件中的应用研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| ·选题背景与研究意义 | 第10-12页 |
| ·论文结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜 | 第13-21页 |
| ·薄膜技术的发展 | 第13-14页 |
| ·氮化硅薄膜 | 第14-17页 |
| ·氮化硅薄膜的性质 | 第15页 |
| ·氮化硅薄膜的应用范围 | 第15-16页 |
| ·制备氮化硅薄膜的方法 | 第16-17页 |
| ·二氧化硅薄膜 | 第17-21页 |
| ·二氧化硅薄膜的性质 | 第17页 |
| ·二氧化硅薄膜的应用范围 | 第17-19页 |
| ·制备二氧化硅薄膜的方法 | 第19-21页 |
| 第三章 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第21-30页 |
| ·等离子体和化学气相沉积 | 第21-24页 |
| ·等离子体简介 | 第21-23页 |
| ·化学气相沉积简介 | 第23-24页 |
| ·等离子体化学气相沉积法(PECVD) | 第24-30页 |
| ·等离子体化学气相沉积的原理 | 第25-29页 |
| ·等离子体化学气相沉积的优点 | 第29-30页 |
| 第四章 PECVD沉积薄膜实验设备及流程 | 第30-35页 |
| ·实验设备 | 第30-33页 |
| ·实验流程 | 第33-35页 |
| ·衬底基片的清洗 | 第33-34页 |
| ·PECVD沉积薄膜实验步骤 | 第34-35页 |
| 第五章 氮化硅薄膜的PECVD沉积的实验研究 | 第35-46页 |
| ·PECVD法沉积氮化硅薄膜概况 | 第35页 |
| ·氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺参数选择 | 第35-40页 |
| ·腔室压强的选择 | 第35-36页 |
| ·射频功率的选择 | 第36-38页 |
| ·气体流量配比的选择 | 第38-39页 |
| ·沉积温度的选择 | 第39-40页 |
| ·氮化硅薄膜沉积与测试实验结果 | 第40-41页 |
| ·实验结果分析 | 第41-46页 |
| ·射频功率的选择 | 第41-43页 |
| ·气体流量配比的选择 | 第43-44页 |
| ·沉积温度的选择 | 第44页 |
| ·沉积时间的选择 | 第44-45页 |
| ·优选工艺参数 | 第45-46页 |
| 第六章 二氧化硅薄膜的PECVD沉积的实验研究 | 第46-50页 |
| ·PECVD法沉积氮化硅薄膜概况 | 第46页 |
| ·二氧化硅薄膜沉积与测试实验结果 | 第46-47页 |
| ·实验结果分析 | 第47-50页 |
| ·射频功率的选择 | 第47-48页 |
| ·气体流量配比的选择 | 第48-49页 |
| ·优选工艺参数 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第55页 |
