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SiO2和Si3N4薄膜的PECVD沉积及在半导体光电子器件中的应用研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-13页
   ·选题背景与研究意义第10-12页
   ·论文结构安排第12-13页
第二章 氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜第13-21页
   ·薄膜技术的发展第13-14页
   ·氮化硅薄膜第14-17页
     ·氮化硅薄膜的性质第15页
     ·氮化硅薄膜的应用范围第15-16页
     ·制备氮化硅薄膜的方法第16-17页
   ·二氧化硅薄膜第17-21页
     ·二氧化硅薄膜的性质第17页
     ·二氧化硅薄膜的应用范围第17-19页
     ·制备二氧化硅薄膜的方法第19-21页
第三章 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)第21-30页
   ·等离子体和化学气相沉积第21-24页
     ·等离子体简介第21-23页
     ·化学气相沉积简介第23-24页
   ·等离子体化学气相沉积法(PECVD)第24-30页
     ·等离子体化学气相沉积的原理第25-29页
     ·等离子体化学气相沉积的优点第29-30页
第四章 PECVD沉积薄膜实验设备及流程第30-35页
   ·实验设备第30-33页
   ·实验流程第33-35页
     ·衬底基片的清洗第33-34页
     ·PECVD沉积薄膜实验步骤第34-35页
第五章 氮化硅薄膜的PECVD沉积的实验研究第35-46页
   ·PECVD法沉积氮化硅薄膜概况第35页
   ·氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺参数选择第35-40页
     ·腔室压强的选择第35-36页
     ·射频功率的选择第36-38页
     ·气体流量配比的选择第38-39页
     ·沉积温度的选择第39-40页
   ·氮化硅薄膜沉积与测试实验结果第40-41页
   ·实验结果分析第41-46页
     ·射频功率的选择第41-43页
     ·气体流量配比的选择第43-44页
     ·沉积温度的选择第44页
     ·沉积时间的选择第44-45页
     ·优选工艺参数第45-46页
第六章 二氧化硅薄膜的PECVD沉积的实验研究第46-50页
   ·PECVD法沉积氮化硅薄膜概况第46页
   ·二氧化硅薄膜沉积与测试实验结果第46-47页
   ·实验结果分析第47-50页
     ·射频功率的选择第47-48页
     ·气体流量配比的选择第48-49页
     ·优选工艺参数第49-50页
参考文献第50-54页
致谢第54-55页
攻读硕士学位期间发表的论文目录第55页

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