磁控溅射法制备P型Cu2O薄膜
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-26页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·Cu_2O薄膜的特性 | 第9-10页 |
| ·Cu_2O薄膜的晶体结构 | 第9-10页 |
| ·Cu_2O薄膜的光电特性 | 第10页 |
| ·Cu_2O薄膜的其他性质 | 第10页 |
| ·Cu_2O薄膜在太阳能电池上的应用 | 第10-11页 |
| ·太阳能电池的研究现状 | 第11-18页 |
| ·太阳能电池发展史 | 第12-13页 |
| ·太阳能电池材料的研究现状 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池分类 | 第14-17页 |
| ·硅系列太阳能电池 | 第14-15页 |
| ·纳米晶体化学太阳能电池 | 第15页 |
| ·聚合物多层修饰电极型太阳能电池 | 第15-16页 |
| ·多元化合物薄膜太阳能电池 | 第16-17页 |
| ·Cu_2O薄膜太阳能电池 | 第17页 |
| ·评价太阳能电池的主要指标 | 第17-18页 |
| ·Cu_2O薄膜的制备方法 | 第18-23页 |
| ·热氧化法 | 第18-19页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第19-20页 |
| ·化学气相沉积法 | 第20-21页 |
| ·分子束外延技术 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射法 | 第22-23页 |
| ·Cu_2O薄膜的研究进展 | 第23-25页 |
| ·Cu_2O薄膜退火处理 | 第23页 |
| ·Cu_2O薄膜钝化处理 | 第23-24页 |
| ·Cu_2O薄膜的氢化处理 | 第23页 |
| ·Cu_2O薄膜的氰化处理 | 第23-24页 |
| ·Cu_2O薄膜的硫化处理 | 第24页 |
| ·Cu_2O薄膜的掺杂研究 | 第24-25页 |
| ·本文的研究目的及内容 | 第25-26页 |
| 第二章 理论介绍 | 第26-35页 |
| ·第一原理计算 | 第26-27页 |
| ·Castep模块 | 第27-29页 |
| ·密度泛函理论基本原理 | 第27-28页 |
| ·Hohenber-Kohn定理 | 第27-28页 |
| ·Kohn-Sham方程式 | 第28页 |
| ·交换关联泛函 | 第28页 |
| ·平面波赝势 | 第28-29页 |
| ·计算参数设置及相关概念 | 第29-34页 |
| ·超晶胞 | 第29页 |
| ·布里渊区K空间取样点 | 第29-30页 |
| ·赝势 | 第30页 |
| ·平面波截止能量 | 第30页 |
| ·形成能及电离能 | 第30-32页 |
| ·形成能计算公式 | 第30-32页 |
| ·电离能计算公式 | 第32页 |
| ·电子态密度、电荷密度分布及集居分析 | 第32-34页 |
| ·电子态密度 | 第32-33页 |
| ·电荷密度分布 | 第33页 |
| ·集居分析 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 薄膜的制备过程及性能表征 | 第35-43页 |
| ·实验方法及原理 | 第35-39页 |
| ·直流反应磁控溅射系统 | 第35-36页 |
| ·直流反应磁控溅射技术 | 第36-39页 |
| ·磁控溅射工作原理 | 第36-37页 |
| ·溅射薄膜的形成理论 | 第37页 |
| ·直流反应磁控溅射的特点 | 第37-38页 |
| ·直流反应磁控溅射薄膜的影响因素 | 第38-39页 |
| ·薄膜的制备工艺 | 第39-40页 |
| ·薄膜制备的准备工作 | 第39页 |
| ·薄膜制备的具体工艺流程 | 第39-40页 |
| ·薄膜的表征 | 第40-43页 |
| ·薄膜的结构测试 | 第40-41页 |
| ·薄膜光学性能的测试 | 第41-42页 |
| ·薄膜的电学性能的测试 | 第42页 |
| ·薄膜的形貌和元素成分的测试 | 第42-43页 |
| 第四章 非掺杂Cu_2O实验结果与分析应用 | 第43-51页 |
| ·热氧化磁控溅射的Cu膜 | 第43-44页 |
| ·热处理温度对薄膜晶体结构的影响 | 第43-44页 |
| ·热处理时间对薄膜晶体结构的影响 | 第44页 |
| ·反应磁控溅射法制备Cu_2O薄膜 | 第44-50页 |
| ·O_2/Ar流量比对薄膜性能的影响 | 第45-49页 |
| ·O_2/Ar流量比对薄膜晶体结构的影响 | 第45-46页 |
| ·O_2/Ar流量比对薄膜光学特性的影响 | 第46-48页 |
| ·O_2/Ar流量比对薄膜电学特性的影响 | 第48-49页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第49-50页 |
| ·衬底温度对薄膜晶体结构的影响 | 第49-50页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性质的影响 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 掺氮Cu_2O的第一性原理计算 | 第51-55页 |
| ·掺氮Cu_2O电子结构研究 | 第51-53页 |
| ·N元素的形成能及电离能 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 Cu_2O:N的实验结果和应用分析 | 第55-75页 |
| ·热氧化法Cu_2O:N薄膜的制备 | 第55-58页 |
| ·薄膜的制备及表征 | 第55-56页 |
| ·实验结果与讨论 | 第56-58页 |
| ·薄膜的晶体结构分析 | 第56-58页 |
| ·薄膜的电学特性分析 | 第58页 |
| ·反应磁控溅射法Cu_2O:N薄膜的制备 | 第58-74页 |
| ·薄膜的制备及表征 | 第58-59页 |
| ·实验结果与讨论 | 第59-74页 |
| ·衬底温度对Cu_2O:N薄膜性能的影响 | 第59-72页 |
| ·热处理温度对Cu_2O:N薄膜性能的影响 | 第72-73页 |
| ·溅射时间对Cu_2O:N薄膜性能的影响 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第七章 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
