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半导体中与自旋相关的新奇量子现象

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
主要符号对照表第9-10页
第1章 引论:半导体中与自旋相关的新物理学第10-22页
   ·自旋电子学的发展第10-15页
     ·自旋极化的产生、控制和测量第11-13页
     ·量子计算与单自旋控制第13-15页
   ·自旋相关的量子效应与新的物质态第15-20页
     ·整数量子Hall效应第15-17页
     ·量子自旋Hall效应第17-18页
     ·拓扑绝缘体第18-20页
   ·论文的结构第20-22页
第2章 自旋流的光学效应第22-51页
   ·问题的提出第22-26页
     ·自旋流的基本性质第22-23页
     ·自旋流的探测方法第23-26页
   ·自旋流的线性光学效应第26-38页
     ·对称性分析第26-29页
     ·基本模型第29-36页
     ·微观物理机制第36-37页
     ·实验建议第37-38页
   ·自旋流的二阶非线性光学效应第38-46页
     ·对称性分析第38-40页
     ·基本模型第40-45页
     ·微观物理机制第45-46页
   ·实验验证第46-49页
   ·讨论与小结第49-51页
第3章 III-V族半导体量子点中的自旋退相干第51-65页
   ·研究现状及问题的提出第51-52页
   ·自旋回波:随机力模型第52-55页
   ·全光自旋回波第55-64页
     ·基本想法第55-56页
     ·理论模型第56-57页
     ·结果和讨论第57-64页
   ·讨论与小结第64-65页
第4章 拓扑绝缘体及拓扑场论第65-87页
   ·格点Dirac哈密顿量以及拓扑表面态第65-70页
     ·Z_2拓扑分类第65-67页
     ·格点Dirac哈密顿量第67-68页
     ·格点Dirac模型的表面态第68-70页
   ·量子反常与拓扑场论第70-72页
   ·拓扑绝缘体中的磁性涨落第72-80页
     ·Bi2Se3的有效模型第72-76页
     ·反铁磁相与动力学轴子第76-78页
     ·实验建议第78-80页
   ·磁性拓扑绝缘体第80-86页
     ·晶体结构和有效模型第81-83页
     ·能带结构与相图第83-86页
   ·讨论与小结第86-87页
第5章 拓扑绝缘体表面态的新奇物理性质第87-104页
   ·表面态的有效模型第87-90页
     ·理论计算第88-90页
     ·实验对比第90页
   ·拓扑表面态的Landau能级量子化第90-93页
     ·表面态的Landau能级第91-92页
     ·实验验证第92-93页
   ·拓扑表面态的准粒子相干第93-103页
     ·台阶散射第94-98页
     ·非磁性点杂质散射第98-102页
     ·磁性点杂质散射第102-103页
   ·讨论与小结第103-104页
第6章 结论第104-106页
参考文献第106-117页
致谢第117-119页
附录第119-137页
 附录A 坐标系与动量积分第119-120页
 附录B Faraday旋转角第120-122页
 附录C 极化算符的规范不变性第122-124页
  C.1 极化算符的规范不变性第122页
  C.2 相互作用表象下的极化算符第122-124页
 附录D HH/LH-SO跃迁贡献的SFG第124-134页
  D.1 HH/LH-SO跃迁贡献的SFG第124-131页
  D.2 8带模型总的SFG第131-134页
 附录E θ的详细推导第134-137页
  E.1 模型推导第134-135页
  E.2 规范不变的推导第135-137页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第137-139页

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