| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·SiC 材料的优势和研究意义 | 第8-9页 |
| ·SiC MOSFET 的研究进展以及目前存在的问题 | 第9-11页 |
| ·SiC 埋沟MOSFET 的发展现状 | 第11-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 4H-SiC 埋沟 MOSFET 基本模型和工作机理 | 第13-22页 |
| ·埋沟MOSFET 的工作机理 | 第13-16页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 的基本模型 | 第16-20页 |
| ·漂移－扩散模型 | 第16-17页 |
| ·迁移率模型 | 第17-18页 |
| ·不完全电离模型 | 第18-19页 |
| ·数值计算方法的选择 | 第19-20页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 直流特性的模拟 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 4H-SiC 埋沟 MOSFET 的高频小信号特性研究 | 第22-28页 |
| ·高频小信号分析方法 | 第22-25页 |
| ·小信号正弦稳态分析方法 | 第22-24页 |
| ·高频增益参数描述 | 第24-25页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 与常规MOSFET 的增益对比 | 第25-27页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 的Y 参数 | 第25-26页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 和常规MOSFET 的对比 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 影响4H-SiC 埋沟 MOSFET 截止频率f_T的分析 | 第28-46页 |
| ·直流偏置对截止频率f_T 的影响 | 第28-31页 |
| ·栅极电压的影响 | 第28-30页 |
| ·漏极电压的影响 | 第30-31页 |
| ·结构参数对4H-SiC 埋沟MOSFET 截止频率f_T 的影响 | 第31-38页 |
| ·栅极设计 | 第31-33页 |
| ·栅长L_G | 第33-34页 |
| ·沟道深度x_i | 第34-37页 |
| ·掺杂浓度对截止频率的影响 | 第37-38页 |
| ·界面态对4H-SiC 埋沟MOSFET 的影响 | 第38-43页 |
| ·界面态在禁带中的分布 | 第38-39页 |
| ·界面态对直流特性的影响 | 第39-42页 |
| ·界面态对截止频率的影响 | 第42-43页 |
| ·温度对4H-SiC 埋沟MOSFET 的影响 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 4H-SiC 埋沟 MOSFET 的实验研究 | 第46-54页 |
| ·实验材料参数及版图 | 第46-48页 |
| ·关键工艺 | 第48-51页 |
| ·源漏离子注入和埋沟注入的实验设计 | 第48-49页 |
| ·氧化工艺设计 | 第49-50页 |
| ·欧姆接触工艺设计 | 第50-51页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 测试结果及分析 | 第51-53页 |
| ·转移特性和跨导 | 第51-52页 |
| ·输出特性 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结束语 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 研究成果 | 第62-64页 |
| 附录 | 第64页 |
