首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料的制备及性能研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-18页
   ·引言第9页
   ·纳米材料的概念、分类及特殊性能第9-12页
     ·纳米材料的概念和分类第9-10页
     ·纳米材料的特殊性能第10-12页
   ·纳米材料的应用前景第12-13页
   ·Ⅱ—Ⅵ族低维纳米半导体材料的研究现状第13-16页
     ·一维ZnO纳米材料的研究进展第14-15页
     ·CdSe量子点的研究进展第15-16页
   ·本课题的研究目的、意义和主要内容第16-18页
第二章 制备与测试方法第18-25页
   ·制备方法第18-19页
     ·水热法第18-19页
     ·水浴回流法第19页
   ·测试仪器及方法第19-25页
     ·X射线衍射(XRD)第19-21页
     ·透射电子显微镜(TEM)第21-22页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第22页
     ·紫外—可见吸收光谱(UV-Vis absorption spectroscopy)第22-23页
     ·荧光光谱(PL)第23-25页
第三章 水热法制备氧化锌微(纳)米棒及其性能研究第25-41页
   ·引言第25-26页
   ·实验设备及试剂第26页
     ·实验设备第26页
     ·实验试剂第26页
   ·实验步骤第26-29页
   ·结果与讨论第29-37页
     ·添加剂的影响第29-32页
     ·EDTA用量的影响第32-35页
     ·反应温度的影响第35-36页
     ·反应时间的影响第36-37页
   ·产物的光学性能测试第37-38页
   ·生长机理第38-40页
   ·本章小结第40-41页
第四章 硒化镉量子点的制备及其性能研究第41-57页
   ·引言第41页
   ·实验设备与试剂第41-42页
     ·实验设备第41-42页
     ·实验试剂第42页
   ·实验步骤第42-44页
     ·制备流程第42-43页
     ·后处理方法第43-44页
   ·结果与讨论第44-47页
     ·硒化镉样品的物相分析第44页
     ·硒化镉样品的形貌分析第44-45页
     ·硒化镉样品的光学性能分析第45-47页
   ·反应过程的影响因素研究第47-53页
     ·包覆剂对生长过程的影响第47-48页
     ·温度对生长过程的影响第48-50页
     ·pH值对生长过程的影响第50页
     ·Cd~(2+)/HSe~-比对生长过程的影响第50-51页
     ·浓度对生长过程的影响第51-52页
     ·镉盐对生长过程的影响第52-53页
   ·反应及包覆机理第53-55页
     ·反应机理第53-54页
     ·包覆机理第54-55页
   ·本章小结第55-57页
结论及展望第57-59页
参考文献第59-65页
攻读硕士学位期间的研究成果第65-66页
致谢第66页

论文共66页,点击 下载论文
上一篇:从会话分析理论看对外汉语初级口语教材的会话编写
下一篇:工程项目进度—费用协调控制的仿真实现研究