中文摘要 | 第1-5页 |
英文摘要 | 第5-10页 |
1 绪论 | 第10-28页 |
·气体传感器的国内外研究现状 | 第10-16页 |
·传感器的重要性 | 第10页 |
·半导体气体传感器主要参数特性要求 | 第10-11页 |
·国外气敏传感器的研究现状 | 第11-12页 |
·国内气敏传感器的现状与差距 | 第12-14页 |
·当前气体传感器存在的问题 | 第14-15页 |
·气体传感器的技术发展趋势 | 第15-16页 |
·纳米技术在半导体陶瓷气体传感器中应用概述 | 第16-18页 |
·纳米材料及应用简介 | 第16-17页 |
·半导体陶瓷气敏材料纳米化机理 | 第17-18页 |
·纳米ABO_3 型酒敏材料的研究概述 | 第18-26页 |
·ABO_3 钙钛矿型结构特点及应用 | 第18-20页 |
·ABO_3 钙钛矿型酒敏材料纳米晶粒的制备方法 | 第20-22页 |
·ABO_3 钙钛矿型酒敏膜的制备方法 | 第22-23页 |
·ABO_3 钙钛矿型材料的酒敏性能 | 第23-24页 |
·影响酒敏性能的因素 | 第24-25页 |
·ABO_3 钙钛矿型酒敏材料的研究的趋势 | 第25-26页 |
·本课题的研究意义和内容 | 第26-28页 |
2 制备方法对 ZnSnO_3纳米粉体及气敏性能的影响 | 第28-38页 |
·引言 | 第28页 |
·实验 | 第28-31页 |
·高纯度纳米ZnSnO_3 及气敏元件的制备 | 第28-30页 |
·表征及测试 | 第30-31页 |
·结果与讨论 | 第31-37页 |
·实验反应过程分析 | 第31-33页 |
·热分析曲线分析 | 第33页 |
·物相及微观结构分析 | 第33-35页 |
·气敏特性测试及气敏机理分析 | 第35-37页 |
·小结 | 第37-38页 |
3 掺杂 ZnSnO_3的气敏性能的研究 | 第38-45页 |
·引言 | 第38页 |
·实验 | 第38-39页 |
·气敏元件的制备 | 第38页 |
·表征及测试 | 第38-39页 |
·结果与讨论 | 第39-44页 |
·不同的添加剂对乙醇灵敏度的影响 | 第39页 |
·乙醇浓度对金属氧化物掺杂的ZnSnO_3 灵敏度的影响 | 第39-40页 |
·掺杂量对灵敏度的影响 | 第40-41页 |
·工作周期对灵敏度的影响 | 第41-42页 |
·ZnSnO_3 传感器的工作温度 | 第42页 |
·含有La_2O_3 添加剂的传感器的电压特性 | 第42-43页 |
·金属氧化物掺杂传感器的选择性 | 第43-44页 |
·小结 | 第44-45页 |
4 ZnSnO_3的气敏机理模型研究 | 第45-62页 |
·引言 | 第45-46页 |
·灵敏度和气体浓度的关系 | 第45页 |
·灵敏度和工作温度的关系 | 第45页 |
·有关选择性的实验及其结果 | 第45-46页 |
·有关稳定性的实验结果 | 第46页 |
·气敏作用机理和模型的研究现状 | 第46-48页 |
·晶界势垒控制模型 | 第46-47页 |
·吸收效应模型 | 第47页 |
·体原子价控制模型 | 第47-48页 |
·化学吸附过程模型 | 第48页 |
·气敏作用机理模型的研究 | 第48-60页 |
·ZnSnO_3 半导体陶瓷的导电机理 | 第49-50页 |
·ZnSnO_3 半导体陶瓷表面的气-固,气-气作用 | 第50-53页 |
·单晶薄膜和烧结体的ZnSnO_3 气敏传感器 | 第53-54页 |
·尺寸效应和离子替代掺杂机理 | 第54-56页 |
·添加剂的作用机理 | 第56-57页 |
·表面反应过程和选择性的关系 | 第57-60页 |
·小结 | 第60-62页 |
5 结论及展望 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
致谢 | 第68-69页 |
附录 | 第69-70页 |
独创性声明 | 第70页 |
学位论文版权使用授权书 | 第70页 |