| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1．1 论文研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1．2 目前国内外研究的状况 | 第9-15页 |
| 1．2．1 酸性湿沉降环境的形成 | 第9-11页 |
| 1．2．2 瓷绝缘子的电气特性 | 第11-13页 |
| 1．2．3 合成绝缘子的电气特性 | 第13-15页 |
| 1．3 论文研究的主要内容 | 第15页 |
| 1．4 小结 | 第15-16页 |
| 2 试验研究装置及方法 | 第16-21页 |
| 2．1 试验研究装置及试品类型 | 第16-18页 |
| 2．1．1 试验研究装置 | 第16页 |
| 2．1．2 试品类型 | 第16-18页 |
| 2．2 酸性湿沉降环境下试验方法 | 第18-19页 |
| 2．2．1 闪络试验程序 | 第18页 |
| 2．2．2 人工降水酸度的配制方法 | 第18页 |
| 2．2．3 酸性湿沉降条件下清洁瓷绝缘子的交流闪络试验方法 | 第18页 |
| 2．2．4 酸性湿沉降条件下污秽瓷绝缘子的交流闪络试验方法 | 第18-19页 |
| 2．3 酸性湿沉降条件下合成绝缘子交流闪络试验方法 | 第19-20页 |
| 2．4 小结 | 第20-21页 |
| 3 酸性湿沉降下瓷绝缘子交流闪络特性 | 第21-36页 |
| 3．1 酸性湿沉降下清洁瓷绝缘子的交流闪络特性 | 第21-23页 |
| 3．1．1 酸性湿沉降的pH值与电导率的关系 | 第21页 |
| 3．1．2 酸性湿沉降环境中清洁瓷绝缘子的交流闪络特性 | 第21-22页 |
| 3．1．3 酸性湿沉降环境中沿清洁瓷绝缘子表面放电的物理过程分析 | 第22-23页 |
| 3．2 酸性湿沉降中污秽瓷绝缘子交流闪络特性 | 第23-34页 |
| 3．2．1 人工污秽瓷绝缘子闪络电压与酸性湿沉降pH值的关系 | 第24-25页 |
| 3．2．2 酸雾环境中人工污秽瓷绝缘子闪络电压与盐密的关系 | 第25-26页 |
| 3．2．3 不同类型污秽瓷绝缘子在酸性湿沉降环境中放电特性的比较 | 第26-29页 |
| 3．2．4 自然污秽瓷绝缘子在酸性湿沉降环境中的交流放电特性 | 第29-32页 |
| 3．2．5 酸性湿沉降环境中沿污秽瓷绝缘子表面放电的物理过程分析 | 第32-34页 |
| 3．3 小结 | 第34-36页 |
| 4 酸性湿沉降下合成绝缘子交流闪络特性 | 第36-53页 |
| 4．1 酸性湿沉降下清洁合成绝缘子的交流闪络特性 | 第36-39页 |
| 4．1．1 湿沉降电导率对清洁合成绝缘子交流闪络的影响 | 第36-37页 |
| 4．1．2 酸性湿沉降物成分对清洁合成绝缘子交流闪络的影响 | 第37-39页 |
| 4．1．3 酸性湿沉降下清洁合成绝缘子交流闪络过程 | 第39页 |
| 4．2 酸性湿沉降下污秽合成绝缘子的交流闪络特性 | 第39-49页 |
| 4．2．1 电导率对污秽合成绝缘子在酸性湿沉降环境中交流闪络的影响 | 第40-42页 |
| 4．2．2 盐密对污秽合成绝缘子在酸性湿沉降物中交流闪络的影响 | 第42-43页 |
| 4．2．3 湿沉降对污秽合成绝缘子在酸性湿沉降环境中交流闪络的影响 | 第43-44页 |
| 4．2．4 污秽合成绝缘子在污湿环境中交流闪络的极性效应 | 第44-45页 |
| 4．2．5 合成绝缘子在污湿环境中交流闪络过程 | 第45-49页 |
| 4．3 合成绝缘子在酸性湿沉降环境中交流闪络机理分析 | 第49-52页 |
| 4．4 小结 | 第52-53页 |
| 5 结论 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
