| 第一章 前言 | 第1-26页 |
| 1-1 光学薄膜研究发展现状 | 第9-15页 |
| ·高功率激光膜 | 第9-10页 |
| ·类金刚石及金刚石膜 | 第10-11页 |
| ·软X射线多层膜 | 第11-12页 |
| ·太阳能选择性吸收膜 | 第12-13页 |
| ·光无源器件薄膜 | 第13-15页 |
| 1-2 薄膜的制备技术概述 | 第15-20页 |
| ·蒸发沉积(Evaporation Deposite) | 第15-16页 |
| ·溅射沉积(Sputtering Deposite) | 第16-17页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第19-20页 |
| ·溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel) | 第20页 |
| 1-3 氧化钛薄膜研究概述 | 第20-25页 |
| ·TiO_2的晶格结构 | 第20-23页 |
| ·氧化钛薄膜的制备技术 | 第23页 |
| ·氧化钛薄膜的应用研究 | 第23-25页 |
| 1-4 课题的提出及研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 试验条件及方法 | 第26-44页 |
| 2-1 试验仪器与设备 | 第26-28页 |
| ·薄膜制备设备 | 第26-27页 |
| ·检测设备 | 第27-28页 |
| ·薄膜试样的准备 | 第28页 |
| 2-2 薄膜的表征方法 | 第28-30页 |
| ·薄膜的成分检测 | 第28-29页 |
| ·薄膜的显微组织结构 | 第29页 |
| ·薄膜的物相分析 | 第29页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第29-30页 |
| ·薄膜厚度的检测 | 第30页 |
| 2-3 薄膜光学常数的表征 | 第30-41页 |
| ·公式推导 | 第31-36页 |
| ·计算实例 | 第36-38页 |
| ·吸收薄膜折射率和消光系数的确定 | 第38-41页 |
| 2-4 TiO_2薄膜制备工艺参数的确定 | 第41-44页 |
| ·正交试验 | 第41-42页 |
| ·结果及讨论 | 第42-44页 |
| 第三章 TiO_2薄膜的结构和性能研究 | 第44-75页 |
| 3-1 沉积工艺条件对薄膜结构和性能的影响 | 第44-49页 |
| ·基片温度对薄膜结构和性能的影响 | 第44-48页 |
| ·真空度对薄膜结构和性能的影响 | 第48-49页 |
| ·沉积速率对薄膜结构和性能的影响 | 第49页 |
| 3-2 热处理对薄膜成分、结构和性能的影响 | 第49-74页 |
| ·薄膜中Ti和O化学状态的XPS研究 | 第49-65页 |
| ·热处理对薄膜晶体结构的影响 | 第65-69页 |
| ·热处理对薄膜光学性能的影响 | 第69-72页 |
| ·薄膜的密度及空隙率 | 第72-74页 |
| 3-3 本章小结 | 第74-75页 |
| 第四章 薄膜的成核生长及其结构模型 | 第75-101页 |
| 4-1 概述 | 第75-79页 |
| ·唯象理论(VWBD理论)模型 | 第75-76页 |
| ·原子理论模型 | 第76-79页 |
| ·最新研究成果 | 第79页 |
| 4-2 薄膜结构的SEM和TEM研究 | 第79-83页 |
| ·实验方法 | 第79-80页 |
| ·实验结果及讨论 | 第80-83页 |
| 4-3 薄膜的成核及生长 | 第83-97页 |
| ·薄膜成核生长的热力学 | 第84-87页 |
| ·薄膜成核生长的动力学 | 第87-95页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第95-97页 |
| 4-4 TiO_2薄膜的结构模型 | 第97-100页 |
| 4-5 本章小结 | 第100-101页 |
| 第五章 光学多层膜膜系优化设计 | 第101-129页 |
| 5-1 问题的提出 | 第101-104页 |
| 5-2 膜系设计的原理 | 第104-110页 |
| ·数学模型的建立 | 第104-105页 |
| ·评价函数的建立 | 第105-108页 |
| ·评价函数的计算 | 第108-110页 |
| 5-3 优化设计方法及实现 | 第110-127页 |
| ·膜系设计的发展 | 第110-111页 |
| ·优化设计的方法及其算法实现 | 第111-116页 |
| ·设计实例分析 | 第116-127页 |
| ·膜系镀制结果 | 第127页 |
| 5-4 本章小结 | 第127-129页 |
| 第六章 全文总结 | 第129-131页 |
| 附录1 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-139页 |
| 博士期间发表的论文 | 第139-140页 |
| 致谢 | 第140页 |