八甲基环四硅氧烷的等离子体聚合过程研究
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 第一章 综述 | 第7-19页 |
| 1．1 等离子体的存在和定义 | 第7-8页 |
| 1．2 等离子体的发生 | 第8页 |
| 1．3 等离子体的相关参量 | 第8-10页 |
| 1．4 等离子体化学的历史及研究内容 | 第10-12页 |
| 1．4．1 等离子体化学的历史 | 第10页 |
| 1．4．2 等离子体化学研究的内容 | 第10-12页 |
| 1．5 等离子体聚合及其特点 | 第12-13页 |
| 1．6 等离子体聚合机理 | 第13-16页 |
| 1．6．1 等离子体聚合中的基元反应 | 第13页 |
| 1．6．2 等离子体聚合机理 | 第13-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 本课题的提出 | 第19-20页 |
| 第三章 等离子体参数的测量 | 第20-26页 |
| 3．1 静电单探针装置及测量原理 | 第20-24页 |
| 3．1．1 静电单探针装置 | 第20-21页 |
| 3．1．2 静电单探针测量的工作原理 | 第21-23页 |
| 3．1．3 电子温度和电子密度的计算 | 第23-24页 |
| 3．2 静电探针的测量 | 第24-25页 |
| 3．3 小结 | 第25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第四章 D4等离子体聚合实验研究 | 第26-44页 |
| 4．1 实验原料、装置及方法 | 第26-27页 |
| 4．2 聚合膜的制备方法 | 第27-28页 |
| 4．3 D4的等离子体聚合参数对反应的影响 | 第28-30页 |
| 4．3．1 极间距对聚合成膜的影响 | 第28-29页 |
| 4．3．2 单体进气速率对聚合成膜的影响 | 第29页 |
| 4．3．3 放电功率对聚合成膜的影响 | 第29-30页 |
| 4．3．4 气压对聚合成膜的影响 | 第30页 |
| 4．4 聚合物的表观形态 | 第30-33页 |
| 4．5 D4等离子体聚合物的结构分析 | 第33-41页 |
| 4．5．1 红外结果分析 | 第33-36页 |
| 4．5．2 X射线光电子能谱分析 | 第36-41页 |
| 4．6 D4等离子体聚合机理讨论 | 第41页 |
| 4．7 小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第五章 磁场引入对聚合过程的影响 | 第44-52页 |
| 5．1 电子和离子在磁场中的运动 | 第44-46页 |
| 5．2 磁场的设计与测量 | 第46-47页 |
| 5．3 磁场对放电的影响 | 第47-48页 |
| 5．4 磁场对等离子体聚合物的影响 | 第48-49页 |
| 5．5 聚合物的结构分析 | 第49-50页 |
| 5．6 聚合机理讨论 | 第50页 |
| 5．7 小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52页 |
