| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1．1 课题背景 | 第7-8页 |
| 1．2 国内外研究概况 | 第8-12页 |
| 第二章 真空中固体绝缘的击穿模型和击穿理论 | 第12-29页 |
| 2．1 真空中固体绝缘表面闪络现象及经典理论 | 第12-15页 |
| 2．1．1 表面闪络过程及实验现象 | 第12页 |
| 2．1．2 二次电子崩理论 | 第12-13页 |
| 2．1．3 解释闪络现象的几种假说 | 第13-15页 |
| 2．2 三相点分析 | 第15-17页 |
| 2．2．1 三相点处的场强增强现象 | 第15页 |
| 2．2．2 降低三相点场强的方法 | 第15-17页 |
| 2．3 一个基于介质表面电子碰撞激发气体解吸的脉冲闪络模型 | 第17-23页 |
| 2．3．1 理论基础 | 第17-18页 |
| 2．3．2 表面闪络模型 | 第18-19页 |
| 2．3．3 介质表面充电 | 第19-20页 |
| 2．3．4 气体解吸 | 第20页 |
| 2．3．5 电离概率 | 第20-21页 |
| 2．3．6 再生过程 | 第21-22页 |
| 2．3．7 特征时间 | 第22-23页 |
| 2．4 影响闪络电压的因素 | 第23-26页 |
| 2．4．1 电极材料及表面状况 | 第23-24页 |
| 2．4．2 绝缘体材料 | 第24页 |
| 2．4．3 绝缘体表面状况 | 第24-25页 |
| 2．4．4 绝缘体表面与外加电场的夹角 | 第25页 |
| 2．4．5 绝缘体的长度 | 第25页 |
| 2．4．6 真空度 | 第25-26页 |
| 2．4．7 外加电压类型 | 第26页 |
| 2．5 闪络场强经验公式 | 第26-28页 |
| 2．5．1 马丁公式 | 第27页 |
| 2．5．2 其他经验公式 | 第27-28页 |
| 2．6 现有理论的局限性 | 第28-29页 |
| 第三章 基础性实验研究及相关理论的拓展与深化 | 第29-46页 |
| 3．1 实验装置简介 | 第29-35页 |
| 3．1．1 实验装置主体的构造 | 第30页 |
| 3．1．2 电源部分 | 第30-33页 |
| 3．1．3 测量装置 | 第33-35页 |
| 3．2 实验内容 | 第35-36页 |
| 3．2．1 直流耐压实验 | 第35页 |
| 3．2．2 脉冲波形实验 | 第35-36页 |
| 3．3 实验进程 | 第36页 |
| 3．4 实验数据及分析 | 第36-40页 |
| 3．4．1 对实验数据的说明 | 第36-37页 |
| 3．4．2 直流情况下放电次数与闪络电压的关系 | 第37页 |
| 3．4．3 真空度与闪络电压的关系 | 第37-38页 |
| 3．4．4 绝缘体厚度与闪络电压的关系 | 第38页 |
| 3．4．5 外加电压类型与闪络电压的关系 | 第38-39页 |
| 3．4．6 两种绝缘材料的综合比较 | 第39-40页 |
| 3．4．7 嵌入式电极的优势 | 第40页 |
| 3．5 理论计算与分析 | 第40-43页 |
| 3．5．1 计算模型及计算方法 | 第40-42页 |
| 3．5．2 计算结果分析 | 第42-43页 |
| 3．6 结论 | 第43-46页 |
| 3．6．1 特定条件下临界闪络场强判据的获得 | 第43-44页 |
| 3．6．2 获得最佳绝缘效率的几个途径 | 第44-45页 |
| 3．6．3 关于多层径向绝缘结构的结论 | 第45-46页 |
| 第四章 匀场环绝缘支撑技术应用研究 | 第46-79页 |
| 4．1 在2MeV注入器中的应用 | 第46-60页 |
| 4．1．1 引言 | 第46页 |
| 4．1．2 方案设计及绘图 | 第46-48页 |
| 4．1．3 理论计算校验 | 第48-50页 |
| 4．1．4 匀场环绝缘支撑的整体实验 | 第50-58页 |
| 4．1．5 进一步实验安排 | 第58-60页 |
| 4．2 在3．5MeV注入器中的应用 | 第60-79页 |
| 4．2．1 课题背景和设计要求 | 第60-61页 |
| 4．2．2 方案设计及绘图 | 第61-63页 |
| 4．2．3 理论计算校验 | 第63-74页 |
| 4．2．4 液体介质设计 | 第74-77页 |
| 4．2．5 方案定型 | 第77-79页 |
| 第五章 结论 | 第79-82页 |
| 5．1 本文取得的进展 | 第79-80页 |
| 5．1．1 填补了我国在该领域的技术空白 | 第79页 |
| 5．1．2 独特的组元式结构及其加工装配技术 | 第79页 |
| 5．1．3 匀场环绝缘支撑完整的理论分析和设计方法 | 第79页 |
| 5．1．4 为2MeV注入器实验平台各项技术指标的改善奠定了基础 | 第79-80页 |
| 5．2 有待进一步研究之处 | 第80-82页 |
| 5．2．1 进行更广泛的真空固体绝缘规律实验研究 | 第80页 |
| 5．2．2 真空闪络场强经验公式的细化 | 第80页 |
| 5．2．3 整体绝缘结构的动态分析方法研究 | 第80页 |
| 5．2．4 整体绝缘结构的进一步优化设计 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
