| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-34页 |
| ·集成电路发展 | 第13-14页 |
| ·栅介质材料 | 第14-18页 |
| ·栅介质材料面临的挑战 | 第14-16页 |
| ·高介电栅介质材料的技术要求 | 第16-18页 |
| ·GaAs基MOS研究进展 | 第18-20页 |
| ·非易失性纳米晶存储技术简介 | 第20-24页 |
| ·非挥发性存储器的发展 | 第20-22页 |
| ·纳米晶存储器 | 第22-24页 |
| ·原子层沉积技术 | 第24-27页 |
| ·ALD原理与特点 | 第24-26页 |
| ·ALD技术的发展与应用 | 第26-27页 |
| ·本论文工作的内容、目的和意义 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第二章 薄膜的ALD制备工艺与表征方法 | 第34-44页 |
| ·实验所用原子层沉积系统介绍 | 第34-37页 |
| ·薄膜的成分、表面、结构分析方法 | 第37-38页 |
| ·薄膜的电学性能表征 | 第38-43页 |
| ·MOS电容的制备 | 第38页 |
| ·电容-电压(C-V)特性 | 第38-41页 |
| ·漏电流-电压(J-V)特性 | 第41页 |
| ·纳米晶存储器结构制备及电学性能表征 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 自制ALD前驱体沉积高K栅介质材料的生长特性 | 第44-58页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·自制ALD前驱体沉积high-κ材料 | 第45-47页 |
| ·衬底清洗 | 第45-46页 |
| ·自制ALD前驱体沉积high-κ材料的工艺参数 | 第46-47页 |
| ·自制ALD前驱体沉积high-κ材料的生长特性 | 第47-55页 |
| ·薄膜组分 | 第47-49页 |
| ·薄膜生长速率与沉积均匀性 | 第49-51页 |
| ·薄膜表面平整性 | 第51-53页 |
| ·薄膜电学性能 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 GaAs衬底表面预处理与沉积高κ栅介质的电学性能研究 | 第58-75页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·化学溶液法表面预处理与沉积Al_2O_3薄膜研究 | 第59-67页 |
| ·表面平整性的影响 | 第59-62页 |
| ·不同化学溶液法对界面状态的影响 | 第62-65页 |
| ·电学性能 | 第65-67页 |
| ·ALD前驱体脉冲表面预处理与生长Al_2O_3/HfO_2纳米叠层研究 | 第67-72页 |
| ·ALD前驱体脉冲表面预处理和薄膜生长 | 第67-68页 |
| ·界面结构分析 | 第68-71页 |
| ·电学性能 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第五章 ALD方法制备高介电纳米晶存储器及其存储性能研究 | 第75-87页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·纳米晶存储器结构的ALD制备 | 第75-76页 |
| ·衬底清洗 | 第75页 |
| ·ALD工艺制备HfO_2/HLO/Al_2O_3/Si堆垛结构 | 第75-76页 |
| ·纳米晶存储器结构与存储性能表征 | 第76-84页 |
| ·纳米晶存储器结构表征 | 第76-78页 |
| ·纳米晶存储器的存储性能 | 第78-81页 |
| ·纳米晶存储器能带结构分析 | 第81-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第六章 结论与展望 | 第87-90页 |
| Publication List | 第90-91页 |
| 专利 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
