| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-21页 |
| ·半导体激光器的发展 | 第10-16页 |
| ·多量子阱激光器 | 第11-13页 |
| ·量子级联激光器 | 第13-16页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析方法 | 第16-21页 |
| ·XRD原理 | 第18-19页 |
| ·国内外动态研究进展 | 第19-21页 |
| 第三章:分子束外延技术 | 第21-27页 |
| ·MBE技术简介 | 第21-22页 |
| ·MBE的原理以及特点 | 第22-26页 |
| ·外延层材料高分辨率X射线衍射(HRXRD)研究 | 第26-27页 |
| 第四章:量子级联激光器基础材料的X射线衍射分析 | 第27-44页 |
| ·高分辨率X射线衍射仪介绍 | 第27-28页 |
| ·X射线衍射原理 | 第28-31页 |
| ·实验部分 | 第31-43页 |
| ·实验设备以及分析方法 | 第31-35页 |
| ·应变InGaAs/InP和InAlAs/InP的XRD分析 | 第35-40页 |
| ·应变多周期InGaAs/InAlAs/InP超晶格结构的XRD分析 | 第40-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 第五章:InGaAs/InP的光致发光谱分析 | 第44-49页 |
| ·PL谱原理 | 第44-45页 |
| ·PL谱测试 | 第45-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 发表文章目录 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 作者简历 | 第56-57页 |