CuInSe2与CdS薄膜的制备及其性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| ·太阳能电池 | 第10-15页 |
| ·太阳能电池产业发展概况和趋势 | 第10-11页 |
| ·硅基太阳能电池 | 第11-12页 |
| ·薄膜太阳能电池 | 第12-13页 |
| ·太阳能电池的工作原理 | 第13-15页 |
| ·CIS薄膜太阳能电池的研究进展 | 第15-19页 |
| ·国内/外的研究进展 | 第15-16页 |
| ·CuInSe_2材料的基本性质 | 第16-18页 |
| ·CuInSe_2薄膜材料的制备方法 | 第18-19页 |
| ·目前研究存在的问题 | 第19-21页 |
| ·材料内部结构的影响 | 第19-20页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第20-21页 |
| ·掺镓的困难 | 第21页 |
| ·论文的研究内容与研究目的 | 第21-23页 |
| ·论文的研究内容 | 第21-22页 |
| ·论文的研究目的 | 第22-23页 |
| 第2章 实验设计及其测试分析 | 第23-33页 |
| ·电沉积方法制备CIS薄膜 | 第23-26页 |
| ·电沉积制备CIS薄膜过程 | 第23页 |
| ·电沉积的原理 | 第23-24页 |
| ·实验仪器和药品 | 第24页 |
| ·电沉积过程 | 第24-25页 |
| ·硒化热处理 | 第25-26页 |
| ·CBD法制备CdS样品 | 第26-30页 |
| ·CdS薄膜的应用 | 第26页 |
| ·CBD法沉积CdS薄膜的原理 | 第26-27页 |
| ·衬底材料 | 第27-28页 |
| ·成膜溶液 | 第28页 |
| ·成膜反应 | 第28页 |
| ·CdS薄膜沉积原理 | 第28-29页 |
| ·CdS成膜反应条件的优化 | 第29-30页 |
| ·CdS薄膜的热处理 | 第30页 |
| ·测试方法 | 第30-33页 |
| ·电化学分析 | 第30-31页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第31页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第31页 |
| ·能谱仪(EDS)分析 | 第31页 |
| ·薄膜的紫外-可见光谱测试 | 第31页 |
| ·半导体导电类型判断测试装置 | 第31-32页 |
| ·原子力电镜(AFM)分析 | 第32-33页 |
| 第3章 CIS薄膜的沉积工艺及其性能研究 | 第33-42页 |
| ·电沉积铟电极过程动力学研究 | 第33-35页 |
| ·循环伏安曲线 | 第33页 |
| ·电沉积阴极极化曲线 | 第33-35页 |
| ·电结晶成核机理理论的研究 | 第35-38页 |
| ·Cu/In多层薄膜的制备 | 第38-41页 |
| ·金属预置层的制备 | 第38页 |
| ·金属预置层的物相变化 | 第38-39页 |
| ·表面形貌的变化 | 第39-40页 |
| ·EDS分析 | 第40-41页 |
| ·电学特性 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 硫化镉薄膜的沉积工艺及其性能研究 | 第42-52页 |
| ·沉积工艺对实验结果的影响 | 第42-46页 |
| ·反应物质浓度对CdS薄膜的影响 | 第42页 |
| ·沉积时间对薄膜元素比例的影响 | 第42-43页 |
| ·温度对制备CdS的影响 | 第43页 |
| ·CdS薄膜的性能分析 | 第43-44页 |
| ·CdS薄膜的SEM电镜分析 | 第44页 |
| ·CdS薄膜的XRD分析 | 第44-45页 |
| ·光学特性分析 | 第45-46页 |
| ·表面粗糙度与分形的关系 | 第46-50页 |
| ·分形 | 第46-47页 |
| ·AFM分析 | 第47-48页 |
| ·分形维的计算 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-54页 |
| ·论文总结 | 第52页 |
| ·论文展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第60页 |
