| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究背景和意义 | 第8-10页 |
| ·国内外研究动态 | 第10-13页 |
| ·应变硅的研究动态 | 第10-11页 |
| ·FinFET 的研究动态 | 第11-13页 |
| ·论文的主要内容 | 第13-14页 |
| 第二章 应变硅技术和FINFET | 第14-24页 |
| ·应变硅技术 | 第14-19页 |
| ·应力和应变 | 第14-15页 |
| ·应变方式分类 | 第15页 |
| ·双轴应变 | 第15-17页 |
| ·单轴应变 | 第17-19页 |
| ·应变硅的能带结构和能带对准 | 第19-20页 |
| ·应变硅的输运特性 | 第20-21页 |
| ·FINFET | 第21-24页 |
| ·FinFET 结构及制作工艺 | 第21-23页 |
| ·Omega FinFET 的结构特点及优势 | 第23-24页 |
| 第三章 一种包含应力工程的CMOS 器件的TCAD 模拟 | 第24-43页 |
| ·SENTAURUS TCAD 软件平台介绍 | 第24-25页 |
| ·CMOS 器件的SENTAURUS 二维模拟 | 第25-35页 |
| ·模拟实验的设置 | 第25-27页 |
| ·模拟过程与结果分析 | 第27-35页 |
| ·应力及工艺参数对器件性能的影响 | 第35-42页 |
| ·各种应力对器件性能的影响 | 第35-38页 |
| ·工艺参数对器件性能的影响 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 新型25 NM NMOS OMEGA FINFET 的TCAD 模拟 | 第43-53页 |
| ·OMEGA FINFET 的TCAD 三维模拟 | 第43-50页 |
| ·模拟实验的工具设置 | 第43-44页 |
| ·模拟过程 | 第44-50页 |
| ·模拟结果与分析 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |