| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·MOSFET 的衬底端表征方法简介 | 第7-10页 |
| ·电荷泵技术（CP）简介 | 第8-9页 |
| ·衬底电流（I_(sub)）简介 | 第9-10页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管（TFT）简介 | 第10-14页 |
| ·低温多晶硅TFT 简介 | 第10-11页 |
| ·实验样品的制备 | 第11-13页 |
| ·多晶硅TFT 的特点及其表征方法 | 第13-14页 |
| ·本文的主要工作和论文结构安排 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 多晶硅TFT 中CP 的研究及应用 | 第18-49页 |
| ·CP 的基本原理 | 第18-23页 |
| ·多晶硅TFT 中CP 的优化 | 第23-29页 |
| ·多晶硅TFT 中CP 存在的问题 | 第24-25页 |
| ·CP 中几何效应的消除 | 第25-29页 |
| ·多晶硅TFT 中Elliot 曲线的模型 | 第29-34页 |
| ·利用CP 提取多晶硅TFT 的缺陷态密度（D_t） | 第34-41页 |
| ·D_t 及其能级分布的提取 | 第34-38页 |
| ·改进型D_t 提取方法 | 第38-41页 |
| ·利用CP 研究多晶硅TFT 的退化 | 第41-44页 |
| ·利用CP 研究多晶硅TFT 的自加热效应 | 第41-43页 |
| ·利用CP 研究多晶硅TFT 的热载流子效应 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第三章 多晶硅TFT 中I_(sub)的研究及应用 | 第49-66页 |
| ·多晶硅TFT 中I_(sub)和MOSFET 中I_(sub)的不同 | 第49-50页 |
| ·多晶硅TFT 中I_(sub)的机制 | 第50-54页 |
| ·多晶硅TFT 中I_(sub) 的路径 | 第50-51页 |
| ·多晶硅TFT 中I_(sub) 的机制 | 第51-54页 |
| ·多晶硅TFT 中I_(sub)的特性曲线 | 第54-59页 |
| ·多晶硅TFT 中I_(sub) 特性曲线的机制 | 第54-56页 |
| ·多晶硅TFT 中I_(sub) 特性曲线的模型 | 第56-59页 |
| ·利用I_(sub)研究多晶硅TFT 的热载流子效应 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 总结与展望 | 第66-68页 |
| ·总结 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
