| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 目录 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-54页 |
| ·引言 | 第15-17页 |
| ·碳纳米管的结构、制备、性质及应用 | 第17-21页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第18-20页 |
| ·碳纳米管的合成制备 | 第20页 |
| ·碳纳米管的性质及应用前景 | 第20-21页 |
| ·碳纳米管化学修饰及导电性质的研究 | 第21-32页 |
| ·碳纳米管的共价功能化 | 第23-30页 |
| ·碳纳米管的非共价功能化 | 第30-32页 |
| ·碳纳米管包合物和碳纳米管豆荚 | 第32页 |
| ·非碳纳米管材料简介 | 第32-36页 |
| ·硼氮纳米管 | 第33-34页 |
| ·碳化硅纳米管 | 第34-35页 |
| ·硅纳米管及硼纳米管 | 第35-36页 |
| ·氧化物纳米管 | 第36页 |
| ·纳米管材料的计算机模拟 | 第36-41页 |
| ·化学修饰的计算机模拟 | 第38-39页 |
| ·纳米电子学和传感器的计算机模拟 | 第39-41页 |
| ·论文主要内容和研究方法 | 第41页 |
| 参考文献 | 第41-54页 |
| 第二章 理论基础和方法 | 第54-69页 |
| ·引言 | 第54-56页 |
| ·密度泛函理论 | 第56-60页 |
| ·Hohenberg-Kohn 原理 | 第56-57页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第57-59页 |
| ·局域密度近似(Local Density-Approximation, LDA) | 第59页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA) | 第59-60页 |
| ·过渡态理论 | 第60-62页 |
| ·过渡态理论要点 | 第60-61页 |
| ·速率常数基本方程式 | 第61-62页 |
| ·理论模型 | 第62页 |
| ·能带理论简介 | 第62-66页 |
| ·紧束缚近似模型 | 第63-65页 |
| ·能带结构分析 | 第65页 |
| ·态密度（DOS）分析 | 第65-66页 |
| ·DMol~3程序简介 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第三章 茂金属化合物（MCp_2, M = Fe、 Co、 Ni）管内修饰碳纳米管的结构、能量和导电性质的理论研究 | 第69-82页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·计算方法与模型 | 第70-71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-79页 |
| ·本章小结 | 第79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第四章 硼掺杂引起碳纳米管反应活性增强的理论研究：CH_2N_2和N_2O 的1，3偶极环加成反应 | 第82-102页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·计算方法与模型 | 第83页 |
| ·结果与讨论 | 第83-98页 |
| ·CH_2N_2 和N_2O 在纯碳纳米管表面的1，3 偶极加成反应 | 第84-89页 |
| ·CH_2N_2 和N_2O 在硼掺杂碳纳米管表面的1，3 偶极加成反应 | 第89-95页 |
| ·反应活性差异的前线分子轨道（FMO）解释 | 第95-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第五章 氨气等离子气体修饰硼氮纳米管的结构、能量与导电性质的理论研究 | 第102-116页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·计算方法与模型 | 第103-104页 |
| ·结果与讨论 | 第104-113页 |
| ·NH_2*自由基的修饰 | 第104-106页 |
| ·H 原子在NH_2-BNNT 修饰物上的进一步修饰 | 第106-109页 |
| ·NH3 等离子气体修饰BNNT 的导电性质 | 第109-111页 |
| ·表面缺陷对NH2*自由基修饰的影响 | 第111-113页 |
| ·本章小结 | 第113页 |
| 参考文献 | 第113-116页 |
| 第六章 卡宾CR_2(R= H、F、Cl、CH_3、CN、NO_2)化学修饰硼氮纳米管的理论研究 | 第116-133页 |
| ·引言 | 第116-117页 |
| ·计算方法与模型 | 第117-118页 |
| ·结果与讨论 | 第118-129页 |
| ·卡宾CR_2(R= H、F、Cl、CH_3、CN)环加成修饰之字形BNNT | 第118-124页 |
| ·卡宾CR_2(R= NO_2)环加成修饰之字形硼氮纳米管及碳纳米管 | 第124-129页 |
| ·本章小结 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-133页 |
| 第七章 不同自旋态的氧气分子在碳化硅纳米管上吸附分解的理论研究 | 第133-148页 |
| ·引言 | 第133-134页 |
| ·计算方法与模型 | 第134-135页 |
| ·结果与讨论 | 第135-144页 |
| ·三态和单态氧分子在SiCNT 表面上的吸附 | 第135-138页 |
| ·氧分子在SiCNT 表面上的吸附和分解的反应机理 | 第138-142页 |
| ·三态和单态氧分子在SiCNT 表面上的吸附的电学性质 | 第142-144页 |
| ·本章小结 | 第144-145页 |
| 参考文献 | 第145-148页 |
| 结论与展望 | 第148-154页 |
| 在学期间主要研究成果 | 第154-156页 |
| 致谢 | 第156-158页 |
