| 中文摘要 | 第1页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究的意义和目的 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-9页 |
| ·紫外成像法放电检测的原理 | 第9-10页 |
| ·本文主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 放电紫外图像特征量的提取及归一化 | 第11-26页 |
| ·极不均匀电场中的电晕放电理论 | 第11-12页 |
| ·紫外成像放电检测的影响因素 | 第12页 |
| ·基于数据形态学的紫外图像光斑面积的计算 | 第12-15页 |
| ·紫外图像二值化 | 第12页 |
| ·二值图像的形态学处理与面积运算 | 第12-15页 |
| ·基于针板放电的紫外图像检测放电特征量的提取 | 第15-21页 |
| ·气体放电光辐射与放电间的关系 | 第15页 |
| ·试验观测方法与数据处理方法 | 第15-16页 |
| ·紫外图像与观测距离的关系 | 第16-19页 |
| ·紫外图像与仪器增益的关系 | 第19-21页 |
| ·紫外成像检测放电的特征量 | 第21页 |
| ·基于针板放电的紫外图像光斑面积的归一化 | 第21-25页 |
| ·最小二乘支持向量机函数估计算法 | 第21-23页 |
| ·遗传算法优化的LS-SVM 模型 | 第23-24页 |
| ·紫外光斑面积归一化结果 | 第24-25页 |
| ·结论 | 第25-26页 |
| 第三章 基于紫外成像的复合绝缘子放电检测 | 第26-31页 |
| ·表面水珠放电的理论与实验 | 第26-28页 |
| ·端部金具放电 | 第28页 |
| ·放电对硅橡胶材料憎水性的影响 | 第28-30页 |
| ·实验装置与方法 | 第29页 |
| ·交流电晕下硅橡胶试片憎水性丧失情况 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第四章 基于紫外成像的污秽瓷绝缘子表面放电检测 | 第31-41页 |
| ·实验装置与原理图 | 第31页 |
| ·实验方法 | 第31-32页 |
| ·涂污方法 | 第31-32页 |
| ·实验方案 | 第32页 |
| ·绝缘子污秽放电一般过程 | 第32-33页 |
| ·污秽放电发展过程对应的泄漏电流和紫外图像变化情况 | 第33-36页 |
| ·污秽放电紫外参量的选择与提取 | 第36-40页 |
| ·间歇性紫外光斑重复次数统计 | 第37-38页 |
| ·不同污秽和湿度下的紫外成像特征参数的比较 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第五章 基于模糊逻辑推理的瓷绝缘子污秽状态评估 | 第41-56页 |
| ·模糊逻辑的主要概念 | 第41-45页 |
| ·模糊集合 | 第41页 |
| ·隶属度函数 | 第41-43页 |
| ·模糊规则与模糊逻辑推理 | 第43-45页 |
| ·模糊逻辑推理过程与实现 | 第45-53页 |
| ·输入变量和输出变量的论域 | 第45-46页 |
| ·模糊化与解模糊 | 第46-49页 |
| ·模糊逻辑规则库的制定 | 第49-51页 |
| ·最小——最大合成模糊逻辑推理方法的应用 | 第51-53页 |
| ·基于模糊逻辑推理的瓷绝缘子污秽度预测 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 在学期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第61页 |