| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1. 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-10页 |
| 1.2 脆硬材料研磨技术发展 | 第10-11页 |
| 1.3 研磨去除机理发展现状 | 第11-13页 |
| 1.3.1 脆性材料研磨去除机理 | 第11-12页 |
| 1.3.2 磨粒摩擦去除机理 | 第12-13页 |
| 1.4 研磨参数对材料去除率(MRR)的影响 | 第13-15页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第15-16页 |
| 2. 磨粒运动模型及分析模拟 | 第16-24页 |
| 2.1 磨粒运动轨迹的分析模拟 | 第16-18页 |
| 2.2 单颗磨粒运动轨迹 | 第18-22页 |
| 2.2.1 离心率对磨粒轨迹的影响 | 第18-20页 |
| 2.2.2 磨盘转速对磨粒轨迹的影响 | 第20-21页 |
| 2.2.3 多磨粒运动轨迹 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-24页 |
| 3. SiC晶片研磨去除理论及模型 | 第24-34页 |
| 3.1 磨粒磨擦去除 | 第24-26页 |
| 3.2 单颗磨粒的材料去除模型 | 第26-28页 |
| 3.2.1 研磨实验 | 第26页 |
| 3.2.2 磨粒研磨去除模型及分析 | 第26-28页 |
| 3.3 凸峰及凸峰与磨粒晶片的接触分析 | 第28-30页 |
| 3.4 活动磨粒的计算 | 第30-31页 |
| 3.5 活动磨粒的研磨过程分析 | 第31-32页 |
| 3.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 4. 基于磨粒变形的SiC晶片MRR研究 | 第34-48页 |
| 4.1 磨粒变形建模与分析 | 第34-35页 |
| 4.2 磨粒变形的必要性分析 | 第35-36页 |
| 4.3 磨粒嵌入晶片面积估算及改进MRR公式的推导 | 第36-38页 |
| 4.4 数值模拟 | 第38-40页 |
| 4.5 实验及结论 | 第40-45页 |
| 4.5.1 实验目的 | 第40页 |
| 4.5.2 实验设备 | 第40-42页 |
| 4.5.3 研磨液配制 | 第42页 |
| 4.5.4 研磨实验流程 | 第42-43页 |
| 4.5.5 单晶片研磨材料去除模式验证试验 | 第43-45页 |
| 4.6 实验结果与理论结果分析 | 第45-46页 |
| 4.7 本章小结 | 第46-48页 |
| 5. 结论与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 结论 | 第48-49页 |
| 5.2 展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 在校期间发表论文及参与项目 | 第56页 |