| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 碳化硅材料 | 第12-16页 |
| 1.1.1 碳化硅材料发展历程 | 第12-14页 |
| 1.1.2 碳化硅材料的物理特性及优势 | 第14-16页 |
| 1.2 碳化硅单极型功率器件的发展及其局限性 | 第16-19页 |
| 1.3 超级结技术 | 第19-21页 |
| 1.4 碳化硅超级结器件的发展 | 第21-27页 |
| 1.4.1 理论研究 | 第21-22页 |
| 1.4.2 实验研究 | 第22-27页 |
| 1.5 本选题的重要意义 | 第27-30页 |
| 1.6 本选题的主要内容 | 第30-32页 |
| 第二章 碳化硅超级结肖特基二极管的结构设计与优化 | 第32-67页 |
| 2.1 SiC SJ-SBD器件有源区元胞结构 | 第32-33页 |
| 2.2 仿真软件及仿真模型 | 第33-35页 |
| 2.2.1 迁移率模型 | 第34-35页 |
| 2.2.2 碰撞电离模型 | 第35页 |
| 2.3 元胞结构仿真研究 | 第35-65页 |
| 2.3.1 外延层参数设计 | 第35-40页 |
| 2.3.2 元胞关键参数定义 | 第40-43页 |
| 2.3.3 元胞关键参数设计 | 第43-65页 |
| 2.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第三章 碳化硅超级结肖特基二极管的工艺设计与开发 | 第67-101页 |
| 3.1 SiC SJ-SBD器件的工艺流程设计 | 第67-70页 |
| 3.2 SiC深槽刻蚀 | 第70-86页 |
| 3.2.1 等离子体刻蚀及掩膜工艺 | 第71-73页 |
| 3.2.2 SiC沟槽形貌优化 | 第73-80页 |
| 3.2.3 刻蚀工艺偏差对器件耐压的影响 | 第80-86页 |
| 3.3 离子注入及高温退火 | 第86-94页 |
| 3.3.1 针对深度6μm沟槽的离子注入设计 | 第88-93页 |
| 3.3.2 针对深度8μm沟槽的离子注入设计 | 第93-94页 |
| 3.4 沟槽介质回填 | 第94-100页 |
| 3.5 本章小结 | 第100-101页 |
| 第四章 碳化硅超级结肖特基二极管的器件制备与测试 | 第101-115页 |
| 4.1 SiC SJ-SBD器件的制备 | 第101页 |
| 4.2 SiC SJ-SBD元胞测试 | 第101-105页 |
| 4.3 多层介质填充沟槽的SiC SJ-SBD器件耐压测试 | 第105-108页 |
| 4.4 不同台面宽度的SiC SJ-SBD器件测试 | 第108-112页 |
| 4.5 影响器件耐压的因素 | 第112-113页 |
| 4.6 本章小结 | 第113-115页 |
| 第五章 总结与展望 | 第115-119页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第115-118页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-126页 |
| 作者在学期间所取得的科研成果 | 第126-127页 |
| 发表和录用的文章 | 第126-127页 |
| 授权和受理的专利 | 第127页 |