| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 注释表 | 第12-14页 |
| 缩略词 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 研究现状 | 第16-18页 |
| 1.2.1 SiCMOSFET器件特性研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.2 SiC/Si混合并联器件研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第18页 |
| 1.3.1 SiCMOSFET和SiIGBT的特性对比研究 | 第18页 |
| 1.3.2 SiC/Si混合并联器件特性研究 | 第18页 |
| 1.3.3 基于混合并联器件的全桥变换器研制 | 第18页 |
| 1.4 本文内容安排 | 第18-20页 |
| 第二章 SiCMOSFET和SiIGBT的特性研究 | 第20-48页 |
| 2.1 器件特性和参数对比 | 第20-27页 |
| 2.1.1 通态特性及其参数 | 第20-25页 |
| 2.1.2 阻态特性及其参数 | 第25页 |
| 2.1.3 开关特性及其参数 | 第25-26页 |
| 2.1.4 驱动特性及其参数 | 第26-27页 |
| 2.2 开关过程分析和对比 | 第27-33页 |
| 2.2.1 SiCMOSFET的非理想开关特性分析 | 第27-30页 |
| 2.2.2 SiIGBT的非理想开关特性分析 | 第30-32页 |
| 2.2.3 开关过程对比 | 第32-33页 |
| 2.3 器件特性测试 | 第33-47页 |
| 2.3.1 输出特性测试 | 第34-36页 |
| 2.3.2 开关特性测试 | 第36-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 SiC/Si混合并联器件特性研究 | 第48-65页 |
| 3.1 SiC/Si混合并联器件开关模式及稳态建模 | 第48-52页 |
| 3.1.1 开关模式研究 | 第48-50页 |
| 3.1.2 导通稳态建模 | 第50-52页 |
| 3.2 SiC/Si混合并联器件的非理想开关过程 | 第52-55页 |
| 3.2.1 开关过程影响因素分析 | 第52-54页 |
| 3.2.2 详细开关过程 | 第54-55页 |
| 3.3 SiC/Si混合并联器件特性测试 | 第55-61页 |
| 3.3.1 输出特性测试 | 第55-56页 |
| 3.3.2 开关特性测试 | 第56-61页 |
| 3.4 混合并联器件的选择 | 第61-64页 |
| 3.4.1 稳态工作角度考虑 | 第61-63页 |
| 3.4.2 动态开关角度考虑 | 第63-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 基于SiC/Si混合并联器件的全桥DC/DC变换器设计 | 第65-81页 |
| 4.1 主电路工作原理 | 第65-71页 |
| 4.2 变换器参数及设计 | 第71-78页 |
| 4.2.1 主电路设计 | 第71-75页 |
| 4.2.2 控制电路设计 | 第75-77页 |
| 4.2.3 辅助电源设计 | 第77-78页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第78-80页 |
| 4.3.1 实验波形与分析 | 第78-80页 |
| 4.3.2 变换器效率测试结果与分析 | 第80页 |
| 4.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 5.1 本文的主要工作 | 第81页 |
| 5.2 工作展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第88页 |
