摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第1章 绪论 | 第17-41页 |
1.1 固体脉冲激光器的应用前景 | 第17-19页 |
1.2 基于可饱和吸收体的固体脉冲激光技术 | 第19-25页 |
1.2.1 被动调Q技术 | 第20-22页 |
1.2.2 被动锁模技术 | 第22-25页 |
1.3 SESAM及国内固体SESAM锁模激光器的研究现状 | 第25-28页 |
1.4 几种新型纳米材料宽带可饱和吸收体 | 第28-36页 |
1.4.1 GO-COOH可饱和吸收体 | 第28-31页 |
1.4.2 WS_2可饱和吸收体 | 第31-33页 |
1.4.3 BP可饱和吸收体 | 第33-35页 |
1.4.4 Fe_3O_4可饱和吸收体 | 第35-36页 |
1.5 新型宽带可饱和吸收体在固体激光器中的应用方式及研究现状 | 第36-39页 |
1.6 本论文的主要工作和结构安排 | 第39-41页 |
第2章 基于国产SESAM的固体Nd:YVO4锁模激光器 | 第41-49页 |
2.1 引言 | 第41页 |
2.2 基于SESAM的被动锁模Nd:YVO4激光器 | 第41-47页 |
2.2.1 实验腔型 | 第41-44页 |
2.2.2 实验结果与分析 | 第44-47页 |
2.3 本章小结 | 第47-49页 |
第3章 二硫化钨可饱和吸收体被动调Q固体激光器 | 第49-69页 |
3.1 引言 | 第49-50页 |
3.2 WS_2纳米片的制备及表征 | 第50-53页 |
3.3 WS_2溶液吸收体被动调Q固体激光器 | 第53-61页 |
3.3.1 WS_2溶液吸收体的封装方式 | 第53-54页 |
3.3.2 不同浓度WS_2溶液的调Q激光结果及分析 | 第54-59页 |
3.3.3 基于WS_2溶液吸收体的高功率被动调Q固体激光器 | 第59-61页 |
3.4 垂直生长法制备WS_2可饱和吸收体及其在固体激光器中的应用 | 第61-66页 |
3.4.1 制备过程及其表征 | 第61-63页 |
3.4.2 基于WS_2可饱和吸收体的高重频被动调Q固体激光器 | 第63-66页 |
3.5 两种形式WS_2可饱和吸收体激光调制结果的对比分析 | 第66-68页 |
3.6 本章小结 | 第68-69页 |
第4章 黑磷和四氧化三铁可饱和吸收体调Q固体激光器 | 第69-82页 |
4.1 引言 | 第69-70页 |
4.2 基于黑磷溶液吸收体的高功率被动调Q固体激光器 | 第70-75页 |
4.2.1 BP溶液吸收体的制备及表征 | 第70-72页 |
4.2.2 BP溶液吸收体的非线性吸收特性 | 第72-73页 |
4.2.3 激光实验结果与分析 | 第73-75页 |
4.3 基于FONPs溶液吸收体的被动调Q固体激光器 | 第75-80页 |
4.3.1 FONPs溶液吸收体的制备及表征 | 第75-76页 |
4.3.2 FONPs溶液吸收体的非线性吸收特性 | 第76-77页 |
4.3.3 激光实验结果与分析 | 第77-80页 |
4.4 本章小结 | 第80-82页 |
第5章 基于羧基氧化石墨烯的高功率被动调Q锁模激光器 | 第82-94页 |
5.1 引言 | 第82页 |
5.2 GO-COOH纳米片的制备及表征 | 第82-84页 |
5.3 GO-COOH纳米片的可饱和吸收特性 | 第84-85页 |
5.4 LB拉膜法制备GO-COOH可饱和吸收体及其表征 | 第85-87页 |
5.5 基于GO-COOH可饱和吸收体的激光结果与分析 | 第87-93页 |
5.5.1 被动调Q激光结果与分析 | 第87-89页 |
5.5.2 被动调Q锁模激光结果与分析 | 第89-93页 |
5.6 本章小结 | 第93-94页 |
第6章 总结和展望 | 第94-97页 |
6.1 本论文的主要研究成果 | 第94-95页 |
6.2 对未来工作的展望 | 第95-97页 |
参考文献 | 第97-113页 |
附录 缩略词 | 第113-115页 |
致谢 | 第115-117页 |
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第117-118页 |