| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 光催化剂的改性方法 | 第9-11页 |
| 1.2.1 掺杂金属或金属阳离子改性 | 第9-10页 |
| 1.2.2 掺杂非金属改性 | 第10页 |
| 1.2.3 耦合半导体改性 | 第10-11页 |
| 1.3 BiOX(X=Cl或Br)半导体的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3.1 BiOCl的研究近况 | 第12-13页 |
| 1.3.2 BiOBr的研究近况 | 第13-14页 |
| 1.4 g-C_3N_4半导体的研究现状 | 第14-18页 |
| 1.4.1 g-C_3N_4的简介与性质 | 第14-15页 |
| 1.4.2 g-C_3N_4的合成 | 第15-16页 |
| 1.4.3 g-C_3N_4的改性 | 第16-17页 |
| 1.4.4 g-C_3N_4基半导体复合材料的制备 | 第17-18页 |
| 1.5 课题研究的内容和意义 | 第18-20页 |
| 2 改性g-C_3N_4的制备及其性能和结构的表征 | 第20-29页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 实验部分 | 第20-22页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第20-21页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第21页 |
| 2.2.3 改性g-C_3N_4的制备 | 第21-22页 |
| 2.2.4 改性g-C_3N_4的表征和性能测试 | 第22页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第22-28页 |
| 2.3.1 g-C_3N_4的结构表征 | 第22-24页 |
| 2.3.2 g-C_3N_4的形貌表征 | 第24-25页 |
| 2.3.3 g-C_3N_4的光电及荧光性能 | 第25-26页 |
| 2.3.4 g-C_3N_4的光催化性能 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 g-C_3N_4/BiOCl复合光催化剂的制备及性能研究 | 第29-42页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 实验部分 | 第30-32页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第30页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第30-31页 |
| 3.2.3 g-C_3N_4/BiOCl复合的制备 | 第31页 |
| 3.2.4 g-C_3N_4/BiOCl复合制备的优化 | 第31页 |
| 3.2.5 g-C_3N_4/BiOCl的表征和性能测试 | 第31-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-40页 |
| 3.3.1 g-C_3N_4/BiOCl的表征 | 第32-37页 |
| 3.3.2 g-C_3N_4/BiOCl的光催化性能 | 第37-39页 |
| 3.3.3 g-C_3N_4/BiOCl的光催化机理 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 g-C_3N_4/BiOBr复合光催化剂的制备及性能研究 | 第42-53页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 实验部分 | 第43-45页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第43页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第43页 |
| 4.2.3 g-C_3N_4/BiOBr复合的制备 | 第43-44页 |
| 4.2.4 g-C_3N_4/BiOBr复合制备的优化 | 第44页 |
| 4.2.5 g-C_3N_4/BiOBr的表征和性能测试 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-52页 |
| 4.3.1 g-C_3N_4/BiOBr的形貌表征 | 第45-46页 |
| 4.3.2 g-C_3N_4/BiOBr的结构表征 | 第46-48页 |
| 4.3.3 g-C_3N_4/BiOBr的光电和荧光性能 | 第48-50页 |
| 4.3.4 g-C_3N_4/BiOBr的光催化性能 | 第50-51页 |
| 4.3.5 g-C_3N_4/BiOBr的光催化性能 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 结论 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-65页 |
| 附录 | 第65页 |
