| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池研究进展 | 第10-13页 |
| 1.2.1 晶格匹配多结太阳电池 | 第10-11页 |
| 1.2.2 晶格失配多结太阳电池 | 第11-13页 |
| 1.3 本论文主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 三结太阳电池理论研究与仿真模型 | 第15-31页 |
| 2.1 三结太阳电池理论研究 | 第15-22页 |
| 2.1.1 半导体pn结太阳电池工作原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 太阳电池的性能参数 | 第16-18页 |
| 2.1.3 三结太阳电池的性能参数 | 第18-19页 |
| 2.1.4 隧道结 | 第19-20页 |
| 2.1.5 太阳电池电极研究 | 第20-21页 |
| 2.1.6 欧姆接触 | 第21-22页 |
| 2.2 SilvacoAtlas软件介绍 | 第22-31页 |
| 2.2.1 Silvaco太阳电池仿真理论基础 | 第23页 |
| 2.2.2 结构说明 | 第23-25页 |
| 2.2.3 材料参数设置 | 第25-26页 |
| 2.2.4 模型设置 | 第26-27页 |
| 2.2.5 数值计算方法 | 第27-28页 |
| 2.2.6 获取器件特性 | 第28-31页 |
| 第三章 三结太阳电池的模拟仿真和优化 | 第31-47页 |
| 3.1 顶电池的设计和优化 | 第31-36页 |
| 3.2 中间电池的设计和优化 | 第36-39页 |
| 3.3 Ge电池的设计和优化 | 第39-41页 |
| 3.4 晶格匹配三结太阳电池的设计和优化 | 第41-47页 |
| 第四章 单结GaAs太阳电池的MBE生长和测试 | 第47-55页 |
| 4.1 MBE工艺概述 | 第47-49页 |
| 4.1.1 MBE设备介绍 | 第47-48页 |
| 4.1.2 MBE生长原理 | 第48-49页 |
| 4.2 单结GaAs太阳电池制备 | 第49-51页 |
| 4.3 单结GaAs电池形貌 | 第51-52页 |
| 4.4 单结GaAs电池性能测试 | 第52-55页 |
| 4.4.1 I-V测试系统 | 第52-53页 |
| 4.4.2 电池性能测试 | 第53-55页 |
| 第五章 GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池性能测试 | 第55-61页 |
| 5.1 MOCVD技术简介 | 第55-56页 |
| 5.2 非聚光GaInP/GaAs/Ge三结电池性能测试 | 第56-58页 |
| 5.3 聚光GaInP/GaAs/Ge三结电池性能测试 | 第58-61页 |
| 第六章 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
