| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-46页 |
| 1.1 有机场效应晶体管概述 | 第12-25页 |
| 1.1.1 有机场效应晶体管的背景介绍 | 第12-16页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管的基本结构 | 第16-17页 |
| 1.1.3 有机场效应晶体管的工作原理 | 第17-20页 |
| 1.1.4 有机场效应晶体管的性能参数 | 第20-25页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的制备方法 | 第25-26页 |
| 1.2.1 热蒸发法制备有机场效应晶体管 | 第25页 |
| 1.2.2 溶液处理法制备有机场效应晶体管 | 第25-26页 |
| 1.3 有机场效应晶体管的前景 | 第26页 |
| 1.4 有机场效应晶体管的应用 | 第26-36页 |
| 1.4.1 有机非易失存储器 | 第27-33页 |
| 1.4.1.1 有机非易失存储器的结构 | 第27页 |
| 1.4.1.2 有机非易失存储器的工作原理 | 第27-29页 |
| 1.4.1.3 有机非易失存储器的主要性能参数 | 第29-33页 |
| 1.4.1.4 有机非易失存储器的制备方法 | 第33页 |
| 1.4.1.5 有机非易失存储器的应用前景 | 第33页 |
| 1.4.2 有机互补反相器 | 第33-36页 |
| 1.4.2.1 有机互补反相器的结构 | 第33-34页 |
| 1.4.2.2 有机互补反相器的工作原理 | 第34页 |
| 1.4.2.3 有机互补反相器的主要性能参数 | 第34-36页 |
| 1.4.1.4 有机互补反相器的制备方法 | 第36页 |
| 1.4.2.5 有机互补反相器的应用前景 | 第36页 |
| 1.5 本论文的研究意义和主要工作概括 | 第36-38页 |
| 1.5.1 本论文的研究意义 | 第36-37页 |
| 1.5.2 本论文的主要工作概括 | 第37-38页 |
| 1.6 本章小结 | 第38页 |
| 本章参考文献 | 第38-46页 |
| 第2章 实验仪器及材料 | 第46-59页 |
| 2.1 实验仪器介绍 | 第46-52页 |
| 2.1.1 真空蒸镀仪 | 第46-47页 |
| 2.1.2 真空溅射镀膜仪 | 第47-48页 |
| 2.1.3 低温探针台 | 第48页 |
| 2.1.4 半导体参数分析仪 | 第48-49页 |
| 2.1.5 原子力显微镜 | 第49-50页 |
| 2.1.6 固定角光谱椭偏仪 | 第50页 |
| 2.1.7 X射线光电子能谱仪 | 第50-51页 |
| 2.1.8 X射线衍射仪 | 第51-52页 |
| 2.1.9 拉曼光谱仪 | 第52页 |
| 2.2 实验材料 | 第52-54页 |
| 2.3 实验过程 | 第54-56页 |
| 2.3.1 硅片与柔性衬底的清洗 | 第54-55页 |
| 2.3.2 碳纳米颗粒,氧化石墨烯薄膜制备 | 第55页 |
| 2.3.3 介电层的制备 | 第55-56页 |
| 2.3.4 有机半导体薄膜的制备 | 第56页 |
| 2.3.5 金属电极的制备 | 第56页 |
| 2.4 有机场效应晶体管,存储器,反相器的电学性能测量 | 第56-58页 |
| 2.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第3章 基于复合介电层的低电压场效应晶体管研究 | 第59-115页 |
| 3.1 研究背景 | 第59-65页 |
| 3.2 碳纳米颗粒聚合物低电压有机场效应晶体管 | 第65-96页 |
| 3.2.1 引言 | 第65页 |
| 3.2.2 碳纳米颗粒的合成及表征 | 第65-68页 |
| 3.2.3 介电层的合成及表征 | 第68-70页 |
| 3.2.4 有机场效应晶体管的结构以及半导体层表征 | 第70-72页 |
| 3.2.5 有机场效应晶体管的电学性能表征 | 第72-96页 |
| 3.2.5.1 P型器件电学性能的表征 | 第72-79页 |
| 3.2.5.2 方法普适性的验证 | 第79-87页 |
| 3.2.5.3 N型器件的电学性能表征 | 第87-90页 |
| 3.2.5.4 柔性器件的电学性能表征 | 第90-96页 |
| 3.2.6 本节小结 | 第96页 |
| 3.3 氧化石墨烯制备低电压有机场效应晶体管 | 第96-108页 |
| 3.3.1 引言 | 第96页 |
| 3.3.2 氧化石墨烯修饰的聚苯乙烯薄膜的制备 | 第96-99页 |
| 3.3.3 有机场效应晶体管的结构以及半导体层表征 | 第99-101页 |
| 3.3.4 有机场效应晶体管的电学性能表征 | 第101-108页 |
| 3.2.4.1 P型器件的电学性能表征 | 第101-103页 |
| 3.2.4.2 方法普适性的验证 | 第103-105页 |
| 3.2.4.3 N型器件的电学性能表征 | 第105-108页 |
| 3.3.5 本节小结 | 第108页 |
| 3.4 本章结论 | 第108-109页 |
| 本章参考文献 | 第109-115页 |
| 第4章 低电压场效应晶体管在互补电路中的应用 | 第115-136页 |
| 4.1 研究背景 | 第115-119页 |
| 4.2 碳纳米颗粒和介电层的合成与表征 | 第119-121页 |
| 4.2.1 碳纳米颗粒的合成与表征 | 第119-120页 |
| 4.2.2 介电层的合成与表征 | 第120-121页 |
| 4.3 反相器的制备及半导体薄膜的合成与表征 | 第121-123页 |
| 4.3.1 反相器的制备 | 第121-122页 |
| 4.3.2 半导体层的表征 | 第122-123页 |
| 4.4 反相器电学性能测试 | 第123-126页 |
| 4.5 柔性反相器器件 | 第126-133页 |
| 4.5.1 柔性反相器的制备 | 第126-127页 |
| 4.5.2 介电层和半导体层的表征 | 第127-128页 |
| 4.5.3 反相器的电学性能测试 | 第128-133页 |
| 4.6 本章小结 | 第133页 |
| 本章参考文献 | 第133-136页 |
| 第5章 低电压场效应晶体管在存储器中的应用 | 第136-157页 |
| 5.1 研究背景 | 第136-142页 |
| 5.2 碳纳米颗粒的合成与表征 | 第142-143页 |
| 5.3 隧穿绝缘层的合成与表征 | 第143-144页 |
| 5.4 有机纳米浮栅非易失存储器的制备 | 第144-145页 |
| 5.5 有机纳米浮栅型非易失存储器电学性能表征 | 第145-153页 |
| 5.5.1 P型器件的电学性能表征 | 第145-147页 |
| 5.5.2 N型器件的电学性能表征 | 第147-150页 |
| 5.5.3 低电压器件制备与电学性能表征 | 第150-153页 |
| 5.6 本章小结 | 第153页 |
| 本章参考文献 | 第153-157页 |
| 第6章 全文总结 | 第157-159页 |
| 攻读博士学位期间本人发表的论文 | 第159-162页 |
| 致谢 | 第162-163页 |
