中文摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4-5页 |
1 绪论 | 第8-16页 |
1.1 问题的研究背景 | 第8-10页 |
1.2 位错理论 | 第10-16页 |
1.2.1 位错的基本概念 | 第10-11页 |
1.2.2 位错弹性理论 | 第11-14页 |
1.2.3 统一的位错方程 | 第14-16页 |
2 高压下ZnCNi_3 和MgCNi_3 中<110>{001}位错性质 | 第16-32页 |
2.1 引言 | 第16-17页 |
2.2 压强下广义层错能的第一性原理计算 | 第17-23页 |
2.2.1 计算方法和细节 | 第17-20页 |
2.2.2 计算广义层错能曲线 | 第20-23页 |
2.3 位错芯结构和Peierls应力 | 第23-30页 |
2.4 电子性质 | 第30-31页 |
2.5 本章小结 | 第31-32页 |
3 表面效应对纳米薄膜中螺位错性质的影响 | 第32-47页 |
3.1 引言 | 第32页 |
3.2 纳米薄膜中螺型位错方程的推导 | 第32-41页 |
3.2.1 含表面效应位错方程的建立 | 第32-35页 |
3.2.2 位错方程的求解 | 第35-41页 |
3.3 表面效应对位错性质的影响 | 第41-46页 |
3.4 本章小结 | 第46-47页 |
4 结论与展望 | 第47-50页 |
4.1 本文的主要结论 | 第47-48页 |
4.2 后续研究工作的展望 | 第48-50页 |
致谢 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-57页 |
附录 | 第57页 |
A. 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第57页 |
B. 攻读硕士期间参加的科研项目 | 第57页 |
C. 攻读硕士期间参加的学术会议 | 第57页 |