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环境水样中六价铬离子的去除及荧光检测

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 概论第15-34页
    1.1 引言第15页
    1.2 铬的物化性质及其用途第15-16页
    1.3 六价铬的毒性第16-17页
    1.4 六价铬的去除方法第17-21页
        1.4.1 化学沉淀法第17页
        1.4.2 离子交换法第17-18页
        1.4.3 膜分离法第18页
        1.4.4 光催化法第18-19页
        1.4.5 微生物法第19页
        1.4.6 吸附法第19-20页
        1.4.7 小结第20-21页
    1.5 六价铬离子的检测方法第21-23页
        1.5.1 分光光度法第21页
        1.5.2 原子吸收光谱法(AAS)第21-22页
        1.5.3 电感耦合等离子体发射光谱分析法(ICP-AES)第22页
        1.5.4 电化学分析法第22-23页
        1.5.5 荧光光谱法第23页
    1.6 氧化石墨烯第23-24页
    1.7 介孔氧化硅第24-25页
    1.8 锰掺杂硫化锌(ZNS:MN)量子点第25-26页
    1.9 离子印迹技术第26-27页
    1.10 本论文的研究意义第27页
    1.11 本论文的研究内容第27-29页
    参考文献第29-34页
第二章 实验材料与方法第34-40页
    2.1 实验仪器第34-35页
    2.2 实验材料第35-36页
    2.3 材料表征方法及六价铬检测方法第36-40页
        2.3.1 红外光谱(FT-IR)分析第36页
        2.3.2 扫描电镜(SEM)第36-37页
        2.3.3 透射电镜(TEM)第37页
        2.3.4 热重分析(TGA)第37-38页
        2.3.5 孔结构分析第38页
        2.3.6 火焰原子吸收光谱法测定Cr(Ⅵ)第38-39页
        2.3.7 荧光检测第39-40页
第三章 六价铬离子印迹材料的制备、表征及其吸附性能研究第40-68页
    3.1 引言第40-41页
    3.2 实验部分第41-43页
        3.2.1 GO的制备第41页
        3.2.2 合成氧化石墨烯-介孔二氧化硅(GO-MS)纳米片第41-42页
        3.2.3 制备六价铬的印迹吸附材料(Cr(Ⅵ)-IIP)第42-43页
    3.3 结果与讨论第43-49页
        3.3.1 AAPTS用量对吸附的影响第43-44页
        3.3.2 材料的表征第44-49页
    3.4 CR(Ⅵ)-IIP对六价铬的吸附性能第49-62页
        3.4.1 实验方法第49-50页
        3.4.2 溶液pH对吸附性能的影响第50-51页
        3.4.3 吸附动力学第51-54页
        3.4.4 吸附等温线第54-57页
        3.4.5 吸附热力学第57-58页
        3.4.6 选择性研究第58-60页
        3.4.7 吸附剂的再生第60-61页
        3.4.8 与其他吸附剂的比较第61-62页
    3.5 本章小结第62-63页
    参考文献第63-68页
第四章 六价铬离子印迹荧光传感器的合成、表征及在水样测定的应用第68-87页
    4.1 引言第68-69页
    4.2 实验部分第69-70页
        4.2.1 材料的制备第69-70页
    4.3 结果与讨论第70-83页
        4.3.1 材料制备条件的优化第70-73页
        4.3.2 QDs-IIP的光学稳定性研究第73-74页
        4.3.3 材料表征第74-78页
        4.3.4 QDs-IIP检测Cr(Ⅵ)第78-79页
        4.3.5 样品分析第79-80页
        4.3.6 选择性研究第80-82页
        4.3.7 传感器的重复使用第82-83页
        4.3.8 与其他Cr(Ⅵ)传感器的比较第83页
    4.4 本章小结第83-85页
    参考文献第85-87页
第五章 论文结论与创新点第87-90页
    5.1 论文结论与创新点第87-90页
        5.1.1 Cr(Ⅵ)吸附剂第87-88页
        5.1.2 Cr(Ⅵ)荧光传感器第88-90页
攻读硕士期间科研成果第90-92页
致谢第92页

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