摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-26页 |
1.1 研究背景与意义 | 第12-16页 |
1.2 国内外研究现状 | 第16-20页 |
1.2.1 石英各向异性湿法刻蚀研究现状 | 第16-18页 |
1.2.2 各向异性湿法刻蚀仿真方法 | 第18-20页 |
1.3 本文研究目的 | 第20-23页 |
1.3.1 刻蚀机理研究 | 第20-21页 |
1.3.2 刻蚀实验研究 | 第21-22页 |
1.3.3 工艺模型研究 | 第22-23页 |
1.4 研究内容 | 第23-26页 |
第二章 石英晶体原子结构模型 | 第26-42页 |
2.1 石英晶体 | 第26-29页 |
2.1.1 石英晶面结构 | 第26-28页 |
2.1.2 石英晶面表示 | 第28-29页 |
2.2 石英晶面原子排列与表面原子分类方法 | 第29-41页 |
2.2.1 单晶硅晶面原子排列特征 | 第30-33页 |
2.2.2 石英晶面原子排列特征 | 第33-36页 |
2.2.3 石英类硅键角原子模型 | 第36-41页 |
2.3 本章小结 | 第41-42页 |
第三章 石英衬底刻蚀形貌计算方法 | 第42-53页 |
3.1 石英表面原子刻蚀计算 | 第42-46页 |
3.1.1 单晶硅表面原子刻蚀过程及移除概率方程 | 第42-44页 |
3.1.2 石英表面原子刻蚀过程及移除概率方程 | 第44-46页 |
3.2 石英衬底刻蚀形貌计算方法 | 第46-52页 |
3.2.1 石英衬底晶胞结构 | 第46-49页 |
3.2.2 晶胞内原子相对位置计算 | 第49-51页 |
3.2.3 衬底原子空间位置计算 | 第51-52页 |
3.3 本章小结 | 第52-53页 |
第四章 进化蒙特卡罗参数优化与形貌模型 | 第53-68页 |
4.1 蒙特卡罗刻蚀形貌模型 | 第53-57页 |
4.1.1 动力学蒙特卡罗算法(KMC) | 第53-54页 |
4.1.2 蒙特卡罗晶面刻蚀模型 | 第54-57页 |
4.2 进化蒙特卡罗刻蚀优化模型 | 第57-65页 |
4.2.1 进化算法(Evolutionary Algorithms, EA) | 第57-58页 |
4.2.2 进化蒙特卡罗刻蚀优化模型(EMC) | 第58-63页 |
4.2.3 EMC石英刻蚀速率和结构仿真结果 | 第63-65页 |
4.3 本章小结 | 第65-68页 |
第五章 石英湿法刻蚀实验研究 | 第68-101页 |
5.1 石英各向异性刻蚀反应 | 第68-69页 |
5.2 石英刻蚀实验方案设计 | 第69-75页 |
5.2.1 石英全晶面刻蚀速率获取实验 | 第69-73页 |
5.2.2 石英晶片刻蚀微结构获取实验 | 第73-75页 |
5.3 实验结果分析与讨论 | 第75-98页 |
5.3.1 石英全晶面刻蚀速率实验结果 | 第75-76页 |
5.3.2 石英Z_cut掩膜晶片刻蚀结构实验结果 | 第76-85页 |
5.3.3 石英AT_cut掩膜晶片刻蚀结构实验结果 | 第85-90页 |
5.3.4 石英BT_cut掩膜晶片刻蚀结构实验结果 | 第90-95页 |
5.3.5 刻蚀条件对石英各向异性刻蚀速率的影响 | 第95-98页 |
5.4 晶面激活能与石英晶体各向异性刻蚀速率的关系 | 第98-100页 |
5.5 本章小结 | 第100-101页 |
第六章 模型计算结果分析与讨论 | 第101-117页 |
6.1 石英全晶面速率模拟结果 | 第101-103页 |
6.2 目标参数优化区间限定对仿真结果的影响 | 第103-104页 |
6.3 微观原子激活能对各向异性刻蚀的影响机理 | 第104-107页 |
6.4 EMC模拟结果与实验数据对比 | 第107-114页 |
6.4.1 石英球刻蚀模拟结果 | 第107-108页 |
6.4.2 Z_cut晶面刻蚀模拟结果 | 第108-111页 |
6.4.3 AT_cut晶面刻蚀模拟结果 | 第111-113页 |
6.4.4 BT_cut晶面刻蚀模拟结果 | 第113-114页 |
6.5 不同刻蚀条件下EMC工艺模型的精度验证 | 第114-116页 |
6.5.1 温度相关性模拟结果与讨论 | 第114-115页 |
6.5.2 浓度相关性模拟结果与讨论 | 第115-116页 |
6.6 本章小结 | 第116-117页 |
第七章 总结与展望 | 第117-120页 |
7.1 主要研究工作 | 第117-118页 |
7.2 研究展望 | 第118-120页 |
参考文献 | 第120-124页 |
攻读博士学位期间科研成果简介 | 第124-126页 |
致谢 | 第126页 |