电荷对非晶态氧化物原子及电子结构性能的影响
| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 计算材料学及其发展 | 第13-14页 |
| 1.4 本课题研究的内容 | 第14-16页 |
| 第二章 计算相关理论及模拟软件介绍 | 第16-37页 |
| 2.1 第一性原理计算和相关近似处理 | 第16-21页 |
| 2.1.1 波恩-奥本海默近似 | 第17-18页 |
| 2.1.2 单电子和平均自由场近似 | 第18-20页 |
| 2.1.3 Hartree-Fock近似 | 第20-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21-28页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第23-25页 |
| 2.2.3 交换关联泛函的近似 | 第25-26页 |
| 2.2.4 赝势 | 第26-28页 |
| 2.3 分子动力学理论 | 第28-31页 |
| 2.3.1 原子势函数 | 第28-29页 |
| 2.3.2 时间的数值积分处理 | 第29-31页 |
| 2.4 缺陷形成能及热力学 | 第31-35页 |
| 2.4.1 缺陷形成能 | 第31-33页 |
| 2.4.2 热力学转换能级 | 第33-35页 |
| 2.5 计算软件简介 | 第35-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 电荷对非晶氧化物原子结构的影响 | 第37-55页 |
| 3.1 非晶结构的产生 | 第37-41页 |
| 3.1.1 分子动学方法产生非晶氧化物结构 | 第37-40页 |
| 3.1.2 非晶结构的检测与表征 | 第40-41页 |
| 3.2 荷电状态氧空位缺陷对非晶结构键长的影响 | 第41-49页 |
| 3.2.1 非晶结构的驰豫 | 第42-44页 |
| 3.2.2 电荷对键长的改变 | 第44-49页 |
| 3.3 荷电状态氧空位缺陷对非晶结构键角的影响 | 第49-54页 |
| 3.3.1 电荷对非晶结构键角的影响 | 第49-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 荷电缺陷电子结构与缺陷形成能 | 第55-74页 |
| 4.1 非晶氧化物的缺陷态密度 | 第55-60页 |
| 4.1.1 带隙中缺陷态的产生 | 第55-58页 |
| 4.1.2 贡献缺陷态的原子 | 第58-60页 |
| 4.2 非晶氧化物的态密度 | 第60-63页 |
| 4.2.1 荷电缺陷分波态密度 | 第60-62页 |
| 4.2.2 体系结构的电荷密度分布 | 第62-63页 |
| 4.3 非晶氧化物中荷电缺陷的形成能 | 第63-70页 |
| 4.3.1 各电荷态的缺陷形成能 | 第63-68页 |
| 4.3.2 不同带电状态氧空位缺陷的稳定性 | 第68-69页 |
| 4.3.3 对缺陷形成能的影响因素及修正 | 第69-70页 |
| 4.4 HSE泛函对电子结构和缺陷形成能的修正 | 第70-73页 |
| 4.4.1 HSE泛函对电子结构的修正 | 第70-72页 |
| 4.4.2 杂化泛函HSE对缺陷形成能的修正 | 第72-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 总结 | 第74-75页 |
| 5.2 展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第82页 |
