| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 氮化硅薄膜概述 | 第11页 |
| 1.2 氮化硅薄膜制备方法概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 物理气相沉积（PVD）法 | 第11-12页 |
| 1.2.1.1 磁控反应溅射法 | 第12页 |
| 1.2.2 化学气相沉积（CVD）法 | 第12-14页 |
| 1.2.2.1 硅的氮化法 | 第12页 |
| 1.2.2.2 高温热化学气相沉积（HTCVD）法 | 第12-13页 |
| 1.2.2.3 常压化学气相沉积（APCVD） | 第13页 |
| 1.2.2.4 低压化学气相沉积（LPCVD）法 | 第13-14页 |
| 1.2.2.5 光化学气相沉积（Photo-CVD）法 | 第14页 |
| 1.2.2.6 等离子体增强化学气相沉积（PECVD） | 第14页 |
| 1.3 本论文课题的意义及国内外研究现状 | 第14-18页 |
| 1.3.1 本论文课题的意义 | 第14-15页 |
| 1.3.2 国内外研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 PECVD工艺参数对薄膜性能影响的研究 | 第20-32页 |
| 2.1 PECVD沉积氮化硅薄膜的原理 | 第20-22页 |
| 2.1.1 PECVD的优势 | 第20-21页 |
| 2.1.2 PECVD氮化硅薄膜沉积过程 | 第21页 |
| 2.1.3 PECVD氮化硅薄膜生长过程 | 第21-22页 |
| 2.2 PECVD工艺参数对薄膜性能的影响 | 第22-31页 |
| 2.2.1 PECVD工艺参数和氮化硅薄膜沉积速率的关系 | 第22-25页 |
| 2.2.1.1 衬底温度及反应气压对氮化硅薄膜沉积速率的影响 | 第23-24页 |
| 2.2.1.2 硅烷/氨气流量比对氮化硅薄膜沉积速率的影响 | 第24页 |
| 2.2.1.3 射频条件对氮化硅薄膜沉积速率的影响 | 第24-25页 |
| 2.2.2 工艺参数对氮化硅薄膜均匀性的影响 | 第25-28页 |
| 2.2.2.1 流量比对氮化硅薄膜均匀性的影响 | 第26-27页 |
| 2.2.2.2 功率对氮化硅薄膜的均匀性影响 | 第27-28页 |
| 2.2.3 工艺参数对氮化硅薄膜折射率的影响 | 第28-29页 |
| 2.2.3.1 射频条件和衬底温度对氮化硅薄膜折射率的影响 | 第28-29页 |
| 2.2.4 工艺参数对氮化硅薄膜折射率的影响 | 第29-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 热导测试结构的制备及热导的测试 | 第32-48页 |
| 3.1 热导测试原理 | 第32-35页 |
| 3.1.1 热导率和热扩散率概述 | 第32-33页 |
| 3.1.1.1 热导率 | 第32页 |
| 3.1.1.2 热扩散率 | 第32-33页 |
| 3.1.2 薄膜热导率的测试方法 | 第33-35页 |
| 3.1.2.1 静态测量法 | 第33页 |
| 3.1.2.2 光发射测量法 | 第33页 |
| 3.1.2.3 3ω测量法 | 第33-34页 |
| 3.1.2.4 一维悬臂梁法 | 第34-35页 |
| 3.2 介质薄膜热学参数测试用微结构设计 | 第35-37页 |
| 3.3 测试结构的制备 | 第37-47页 |
| 3.3.1 测试结构的制备工艺 | 第37-38页 |
| 3.3.2 主要工序的核心问题研究 | 第38-47页 |
| 3.3.2.1 光刻过程中牺牲层厚度的控制 | 第38-39页 |
| 3.3.2.2 金属薄膜的制备 | 第39-42页 |
| 3.3.2.3 金属湿法腐蚀工艺研究 | 第42-46页 |
| 3.3.2.4 电阻测试 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 等离子体诊断系统设计 | 第48-61页 |
| 4.1 等离子体相关理论介绍 | 第48-54页 |
| 4.1.1 等离子体概述 | 第48-52页 |
| 4.1.1.1 等离子体 | 第48页 |
| 4.1.1.2 德拜长度 | 第48-49页 |
| 4.1.1.3 鞘层 | 第49-50页 |
| 4.1.1.4 等离子频率和玻姆判定 | 第50-52页 |
| 4.1.2 郎缪尔探针诊断的I-V曲线 | 第52-54页 |
| 4.1.2.1 电子温度 | 第52-53页 |
| 4.1.2.2 浮动电势 | 第53页 |
| 4.1.2.3 空间电势 | 第53-54页 |
| 4.1.2.4 等离子体密度 | 第54页 |
| 4.2 等离子体真空腔室设计 | 第54-56页 |
| 4.2.1 真空腔室设计 | 第54-55页 |
| 4.2.2 上电极淋浴花洒结构设计 | 第55-56页 |
| 4.3 郎缪尔探针设计 | 第56-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-64页 |
| 5.1 结论总结 | 第61-63页 |
| 5.2 发展与展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
