| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 图表清单 | 第9-12页 |
| 注释表 | 第12-14页 |
| 缩略词 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-18页 |
| 1.1.1 功率器件对变换器性能的影响 | 第15-16页 |
| 1.1.2 SiC 半导体及其器件概述 | 第16-18页 |
| 1.2 SiC 功率器件的发展与应用研究现状 | 第18-23页 |
| 1.2.1 SiC 功率器件的发展及水平 | 第18-21页 |
| 1.2.2 SiC 功率器件的应用研究现状 | 第21-23页 |
| 1.3 SiC 功率器件的应用研究问题 | 第23-24页 |
| 1.3.1 SiC 功率器件的特性分析与研究 | 第23页 |
| 1.3.2 SiC MOSFET 桥臂电路高频串扰抑制 | 第23-24页 |
| 1.4 本文的内容安排 | 第24-25页 |
| 第二章 SiC 功率器件的特性与参数分析 | 第25-50页 |
| 2.1 SiC 肖特基二极管的特性与参数 | 第25-33页 |
| 2.1.1 通态特性及其参数 | 第25-30页 |
| 2.1.2 阻态特性及其参数 | 第30-31页 |
| 2.1.3 开通过程及其参数 | 第31页 |
| 2.1.4 关断过程及其参数 | 第31-33页 |
| 2.2 SiC MOSFET 的特性与参数 | 第33-40页 |
| 2.2.1 通态特性及其参数 | 第33-36页 |
| 2.2.2 阻态特性及其参数 | 第36-37页 |
| 2.2.3 开关特性及其参数 | 第37-39页 |
| 2.2.4 栅极驱动特性及其参数 | 第39-40页 |
| 2.3 器件特性实验结果与分析 | 第40-49页 |
| 2.3.1 SiC MOSFET 通态电阻测试 | 第40-41页 |
| 2.3.2 双脉冲测试电路及主要参数 | 第41-43页 |
| 2.3.3 SiC 肖特基二极管开关特性测试 | 第43-46页 |
| 2.3.4 SiC MOSFET 开关特性测试 | 第46-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 SiC MOSFET 桥臂电路高频串扰及其抑制方法 | 第50-65页 |
| 3.1 SiC MOSFET 的高频化关键问题 | 第50-55页 |
| 3.1.1 寄生参数的影响 | 第50-51页 |
| 3.1.2 桥臂电路高频串扰原理分析 | 第51-54页 |
| 3.1.3 SiC MOSFET 串扰问题的特殊性 | 第54-55页 |
| 3.2 桥臂电路高频串扰的常用抑制方法 | 第55-57页 |
| 3.2.1 无源抑制方法 | 第55-56页 |
| 3.2.2 有源抑制方法 | 第56-57页 |
| 3.3 串扰抑制措施实验结果与分析 | 第57-64页 |
| 3.3.1 常用串扰抑制措施实验结果与分析 | 第57-62页 |
| 3.3.2 有源密勒箝位驱动电路的优化设计 | 第62-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 基于 Si/SiC 功率器件的 Buck 变换器性能对比 | 第65-76页 |
| 4.1 主要技术参数 | 第65-66页 |
| 4.2 功率器件的损耗分析与对比 | 第66-72页 |
| 4.2.1 Si/SiC 二极管的损耗分析与对比 | 第66-68页 |
| 4.2.2 Si/SiC MOSFET 的损耗分析与对比 | 第68-70页 |
| 4.2.3 Buck 变换器实验结果与分析 | 第70-72页 |
| 4.3 Si/SiC 基 Buck 变换器无源器件体积/重量对比 | 第72-75页 |
| 4.3.1 Si/SiC 基 Buck 变换器的开关频率对比 | 第73-74页 |
| 4.3.2 输出滤波电感电容的体积/重量对比 | 第74-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-77页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第76页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第82页 |
