| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-26页 |
| 1.1 有机场效应晶体管概述 | 第8-17页 |
| 1.1.1 有机场效应晶体管的发展历程 | 第8-11页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管的基本结构 | 第11-12页 |
| 1.1.3 有机场效应晶体管的工作机理 | 第12-13页 |
| 1.1.4 有机场效应晶体管的基本参数 | 第13-15页 |
| 1.1.5 有机场效应晶体管的应用 | 第15-17页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的半导体材料 | 第17-21页 |
| 1.2.1 p型有机半导体材料 | 第17-19页 |
| 1.2.2 n型有机半导体材料 | 第19-20页 |
| 1.2.3 双极性有机半导体材料 | 第20-21页 |
| 1.3 有机半导体材料晶体的制备方法 | 第21-23页 |
| 1.3.1 物理气相沉积法 | 第21-22页 |
| 1.3.2 溶液法 | 第22-23页 |
| 1.4 本论文的选题依据和意义 | 第23-26页 |
| 第二章 实验部分 | 第26-36页 |
| 2.1 主要原料与试剂 | 第26-27页 |
| 2.2 主要实验仪器 | 第27-28页 |
| 2.3 酞菁钴及其氟代物的合成 | 第28-30页 |
| 2.4 酞菁钴及其氟代物晶体制备 | 第30-32页 |
| 2.4.1 物理气相沉积法制备晶体 | 第30-31页 |
| 2.4.2 溶液法制备晶体 | 第31-32页 |
| 2.5 有机场效应晶体管的制备及测试 | 第32-36页 |
| 2.5.1 硅片处理 | 第32页 |
| 2.5.2 绝缘层修饰 | 第32-33页 |
| 2.5.3 源漏电极制备 | 第33-34页 |
| 2.5.4 器件性能测试 | 第34-36页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第36-68页 |
| 3.1 酞菁钴及其氟代物的收率比较 | 第36页 |
| 3.2 酞菁钴及其氟代物的提纯条件比较 | 第36-37页 |
| 3.3 酞菁钴及其氟代物在DMF中的光物理性能 | 第37-38页 |
| 3.4 F_(16)CoPc晶体的生长机制研究 | 第38-45页 |
| 3.4.1 物理气相沉积法制备F_(16)CoPc晶体 | 第39-42页 |
| 3.4.2 溶液法制备F_(16)CoPc晶体 | 第42-45页 |
| 3.5 氟取代对酞菁钴晶体的生长机制研究 | 第45-51页 |
| 3.5.1 炉体温度对酞菁钴及其氟代物晶体生长的影响 | 第45-47页 |
| 3.5.2 系统压力对酞菁钴及其氟代物晶体生长的影响 | 第47-48页 |
| 3.5.3 基底温度对酞菁钴及其氟代物晶体生长的影响 | 第48-50页 |
| 3.5.4 时间对酞菁钴及其氟代物晶体生长的影响 | 第50-51页 |
| 3.6 酞菁钴及其氟代物晶体生长的机理研究 | 第51-55页 |
| 3.6.1 酞菁钴及其氟代物晶体的生长过程 | 第51-52页 |
| 3.6.2 酞菁钴及其氟代物晶体形貌与晶型的关系 | 第52-55页 |
| 3.7 酞菁钴及其氟代物场效应晶体管的性能研究 | 第55-68页 |
| 3.7.1 OTS修饰SiO2绝缘层的条件优化 | 第55-59页 |
| 3.7.2 F_(16)CoPc场效应晶体管的制备工艺研究 | 第59-63页 |
| 3.7.3 氟取代对器件性能的影响 | 第63-65页 |
| 3.7.4 理论计算说明 | 第65-68页 |
| 第四章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第78-80页 |
| 附录 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
