| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 GaN 材料的主要特点 | 第11-12页 |
| 1.2 GaN 材料与器件的研究进展 | 第12-16页 |
| 1.2.1 GaN 基光电器件 | 第12-13页 |
| 1.2.2 GaN 基电子器件 | 第13-14页 |
| 1.2.3 增强型 AlGaN/GaN 异质结 HEMT 器件的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 异质结原理与表征手段 | 第18-28页 |
| 2.1 GaN 材料的制备 | 第18-21页 |
| 2.1.1 GaN 材料的生长概况 | 第18-19页 |
| 2.1.2 外延 GaN 材料的衬底选择及其缺陷 | 第19-20页 |
| 2.1.3 Ⅲ族氮化物的极化效应 | 第20-21页 |
| 2.2 材料表征与测试手段 | 第21-27页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第21-22页 |
| 2.2.2 异质外延多层膜的 X 射线双晶衍射 | 第22-24页 |
| 2.2.3 范得堡 Hall 测试 | 第24-25页 |
| 2.2.4 电压-电容测试（C-V 测试） | 第25-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 薄势垒 AlGaN/GaN 异质结生长 | 第28-52页 |
| 3.1 薄势垒 AlGaN/GaN 异质结材料的生长 | 第28-30页 |
| 3.1.1 薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的外延结构 | 第28-29页 |
| 3.1.2 势垒层外延厚度的确定 | 第29-30页 |
| 3.1.3 本章实验中采用的异质结材料结构工艺参数 | 第30页 |
| 3.2 Al 组分对薄势垒 AlGaN/GaN 异质结材料特性的影响 | 第30-37页 |
| 3.2.1 Al 组分对薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的电学特性影响 | 第31-34页 |
| 3.2.2 Al 组分对 AlGaN/GaN 异质结的结晶质量的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.3 Al 组分对薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的表面形貌影响 | 第36-37页 |
| 3.3 势垒厚度对 AlGaN/GaN 异质结的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.1 势垒层的厚度对 AlGaN/GaN 异质结的电学特性影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 势垒层厚度 AlGaN/GaN 异质结的结晶质量影响 | 第38-39页 |
| 3.3.3 势垒层厚度对 AlGaN/GaN 异质结的表面形貌影响 | 第39-40页 |
| 3.4 不同缓冲层对薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的影响 | 第40-44页 |
| 3.4.1 不同缓冲层对薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的电学特性影响 | 第41-42页 |
| 3.4.2 不同缓冲层对薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的结晶质量影响 | 第42-43页 |
| 3.4.3 不同缓冲层对薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的表面形貌影响 | 第43-44页 |
| 3.5 生长速率对薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的影响 | 第44-46页 |
| 3.5.1 生长速率对 AlGaN/GaN 异质结的电学测试影响 | 第44-45页 |
| 3.5.2 生长速率 AlGaN/GaN 异质结的势垒层结晶质量影响 | 第45-46页 |
| 3.5.3 生长速率对 AlGaN/GaN 异质结的表面形貌影响 | 第46页 |
| 3.6 势垒层生长温度对薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的影响 | 第46-50页 |
| 3.6.1 生长温度对 AlGaN/GaN 异质结的电学测试影响 | 第47-48页 |
| 3.6.2 生长温度对 AlGaN/GaN 异质结的势垒层结晶质量影响 | 第48-49页 |
| 3.6.3 生长温度对 AlGaN/GaN 异质结的表面形貌影响 | 第49-50页 |
| 3.7 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 薄势垒层 AlGaN/GaN 异质结增强型器件制作与性能研究 | 第52-64页 |
| 4.1 GaN 基 HEMT 的器件工艺制作 | 第52-56页 |
| 4.1.1 GaN 基 HEMT 工艺基本流程 | 第52-53页 |
| 4.1.2 薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的 HEMT 器件制造 | 第53-55页 |
| 4.1.3 器件分析的几个常用参数 | 第55-56页 |
| 4.2 Al 组分对薄势垒异质结 HEMT 器件的电特性影响 | 第56-59页 |
| 4.2.1 Al 组分对输出转移特性的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.2 Al 组分对器件击穿特性的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.3 Al 组分对电流崩塌特性的影响 | 第58-59页 |
| 4.2.4 Al 组分对肖特基漏电特性的影响 | 第59页 |
| 4.3 缓冲层的类型对器件的性能影响 | 第59-61页 |
| 4.3.1 缓冲层类型对器件输出转移特性的影响 | 第60页 |
| 4.3.2 缓冲层类型对器件击穿特性的影响 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 本人在攻读硕士学位期间的研究成果 | 第74-75页 |
