摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 光催化技术 | 第11-15页 |
1.2.1 光催化技术简介 | 第11-12页 |
1.2.2 光催化基本原理 | 第12-13页 |
1.2.3 影响光催化活性的因素 | 第13-14页 |
1.2.4 常见光催化材料 | 第14-15页 |
1.3 氮化碳的概述 | 第15-19页 |
1.3.1 氮化碳的发展简介 | 第15-16页 |
1.3.2 类石墨相氮化碳的结构 | 第16页 |
1.3.3 g-C_3N_4的制备 | 第16-17页 |
1.3.4 g-C_3N_4的应用 | 第17-19页 |
1.4 提高g-C_3N_4的光催化活性的途径 | 第19-24页 |
1.4.1 二维纳米片的制备 | 第19-22页 |
1.4.2 贵金属的沉积 | 第22页 |
1.4.3 金属和非金属元素掺杂 | 第22-23页 |
1.4.4 半导体复合 | 第23-24页 |
1.5 论文的研究目的及主要内容 | 第24-27页 |
1.5.1 论文研究目的 | 第24页 |
1.5.2 论文主要内容 | 第24-27页 |
第二章 酸化法片层g-C_3N_4的制备及其光催化性能研究 | 第27-41页 |
2.1 引言 | 第27页 |
2.2 实验部分 | 第27-29页 |
2.2.1 实验原料与设备 | 第27-28页 |
2.2.2 催化剂的制备 | 第28-29页 |
2.2.3 测试与表征 | 第29页 |
2.2.4 光催化性能测试 | 第29页 |
2.3 结果分析 | 第29-39页 |
2.3.1 形貌分析 | 第29-33页 |
2.3.2 结构分析 | 第33-34页 |
2.3.3 性能分析 | 第34-37页 |
2.3.4 机理分析 | 第37-39页 |
2.4 本章小结 | 第39-41页 |
第三章 气泡剥离法g-C_3N_4纳米片的制备及其光催化性能研究 | 第41-55页 |
3.1 引言 | 第41-42页 |
3.2 实验部分 | 第42-44页 |
3.2.1 实验原料与设备 | 第42-43页 |
3.2.2 催化剂的制备 | 第43-44页 |
3.2.3 测试与表征 | 第44页 |
3.2.4 光催化性能测试 | 第44页 |
3.3 结果分析 | 第44-53页 |
3.3.1 形貌分析 | 第44-48页 |
3.3.2 结构分析 | 第48-49页 |
3.3.3 性能分析 | 第49-52页 |
3.3.4 气泡剥离法机理分析 | 第52-53页 |
3.4 本章小结 | 第53-55页 |
第四章 光还原法Ag/g-C_3N_4的制备及其光催化性能研究 | 第55-65页 |
4.1 引言 | 第55页 |
4.2 实验部分 | 第55-57页 |
4.2.1 实验原料与设备 | 第55-56页 |
4.2.2 催化剂的制备 | 第56-57页 |
4.2.3 测试与表征 | 第57页 |
4.2.4 光催化性能测试 | 第57页 |
4.3 结果分析 | 第57-64页 |
4.3.1 形貌分析 | 第57-59页 |
4.3.2 结构分析 | 第59-60页 |
4.3.3 性能分析 | 第60-63页 |
4.3.4 光催化机理分析 | 第63-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
5.1 结论 | 第65-66页 |
5.2 展望 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-77页 |
致谢 | 第77-79页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第79页 |