| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 过渡金属硫族化合物超导体的研究进展 | 第11-74页 |
| 1.0 引言 | 第11-13页 |
| 1.1 BiS_2基超导体 | 第13-31页 |
| 1.1.1 Bi_4O_4S_3 | 第13-17页 |
| 1.1.2 LnO_(1-x)F_xBiS_2(Ln=La,Nd,Pr,Ce,Yb) | 第17-25页 |
| 1.1.3 Sr_(1-x)La_xFBiS_2和La_(1-x)M_xOBiS_2(M=Ti,Zr,Hf,Th) | 第25-29页 |
| 1.1.4 LaO_(1-x)F_xBiSe_2 | 第29-31页 |
| 1.2 拓扑绝缘体和拓扑超导体 | 第31-50页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体 | 第31-39页 |
| 1.2.2 压力诱导拓扑绝缘体产生超导电性 | 第39-45页 |
| 1.2.3 拓扑超导体 | 第45-50页 |
| 1.3 层状过渡金属二硫化物MX_2(X=S,Se,Te) | 第50-66页 |
| 1.3.1 Cu_xTiSe_2 | 第50-56页 |
| 1.3.2 TaS_2和Cu_xTaS_2 | 第56-61页 |
| 1.3.3 TaS_(2-x)Te_x | 第61-62页 |
| 1.3.4 1T-TaS_(2-x)Se | 第62-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 第二章 Bi_4O_4S_3超导体中的Bi位掺杂效应研究 | 第74-90页 |
| 2.1 引言 | 第74-75页 |
| 2.2 研究背景 | 第75-77页 |
| 2.3 实验方法 | 第77-78页 |
| 2.4 实验结果与讨论 | 第78-87页 |
| 2.4.1 形貌、结构及成分表征 | 第78-80页 |
| 2.4.2 磁性质和输运性质研究 | 第80-87页 |
| 2.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 第三章 金属元素插层在拓扑绝缘体Bi_2Se_3中诱导产生超导电性 | 第90-102页 |
| 3.1 引言 | 第90页 |
| 3.2 研究背景 | 第90-91页 |
| 3.3 实验方法 | 第91-92页 |
| 3.4 实验结果与讨论 | 第92-98页 |
| 3.4.1 制备出Sr_xBi_2Se_3新型拓扑超导材料 | 第92-95页 |
| 3.4.2 Nb_(0.25)Bi_2Se_3中Te对Se的取代效应 | 第95-98页 |
| 3.5 本章小结 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第四章 TaSe_(2-x)S_x和Cu_(0.15)TaSe_(2-x)S_x系列单晶的合成与超导电性 | 第102-116页 |
| 4.1 引言 | 第102页 |
| 4.2 研究背景 | 第102-105页 |
| 4.3 实验方法 | 第105-107页 |
| 4.4 实验结果与讨论 | 第107-113页 |
| 4.5 本章小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-116页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
