| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-40页 |
| 1.1 一维纳米材料的合成技术 | 第14-19页 |
| 1.1.1 气相法 | 第14-17页 |
| 1.1.2 液相法 | 第17-18页 |
| 1.1.3 固相法 | 第18-19页 |
| 1.2 稀土六硼化物一维纳米材料的研究现状 | 第19-36页 |
| 1.2.1 稀土六硼化物的结构和性质 | 第19-20页 |
| 1.2.2 稀土六硼化物一维纳米材料的合成方法 | 第20-25页 |
| 1.2.3 高压反应釜合成稀土六硼化物 | 第25-28页 |
| 1.2.4 拓扑绝缘体概述 | 第28-35页 |
| 1.2.6 聚焦离子束（FIB）技术制备纳米器件 | 第35-36页 |
| 1.3 本论文的研究目的和意义 | 第36-37页 |
| 1.4 本论文的研究内容和创新之处 | 第37-40页 |
| 第二章 NdB_6一维纳米材料的合成、表征和生长机理 | 第40-59页 |
| 2.1 研究背景 | 第40-41页 |
| 2.2 NdB_6单晶纳米锥的合成与表征 | 第41-50页 |
| 2.2.1 样品的制备 | 第41-43页 |
| 2.2.2 样品的结构表征 | 第43-46页 |
| 2.2.3 纳米锥的生长机理探讨 | 第46-50页 |
| 2.3 NdB_6纳米带和纳米管的合成和表征 | 第50-58页 |
| 2.3.1 样品的制备和表征 | 第50-56页 |
| 2.3.2 NdB_6一维纳米材料的生长机理探讨 | 第56-58页 |
| 2.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第三章 单晶La_xPr_(1-x)B_6纳米锥的合成、表征和生长机理 | 第59-71页 |
| 3.1 研究背景 | 第59-61页 |
| 3.2 La_xPr_(1-x)B_6单晶纳米锥的合成与表征 | 第61-68页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第61页 |
| 3.2.2 样品的表征 | 第61-68页 |
| 3.3 纳米锥的生长机理探讨 | 第68-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 拓扑绝缘体SmB_6纳米线的合成及输运性质 | 第71-85页 |
| 4.1 研究背景 | 第71-73页 |
| 4.1.1 拓扑绝缘体简介 | 第71-72页 |
| 4.1.2 Sm B_6纳米材料的合成方法 | 第72-73页 |
| 4.2 SmB_6纳米线的制备和表征 | 第73-81页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第73-74页 |
| 4.2.2 样品的表征 | 第74-81页 |
| 4.3 单根SmB_6纳米线的电子输运性质 | 第81-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 第五章 YbB_6纳米线的合成及输运性质 | 第85-97页 |
| 5.1 研究背景 | 第85-86页 |
| 5.2 样品制备和表征 | 第86-92页 |
| 5.2.1 样品的制备 | 第86-87页 |
| 5.2.2 样品的表征 | 第87-92页 |
| 5.3 单根YbB_6纳米线的电子输运性质 | 第92-94页 |
| 5.4 YbB_6纳米材料的磁性研究 | 第94-96页 |
| 5.5 本章小结 | 第96-97页 |
| 第六章 GdB_6纳米线的合成及表征 | 第97-108页 |
| 6.1 研究背景 | 第97-98页 |
| 6.2 样品制备和表征 | 第98-104页 |
| 6.2.1 样品的制备 | 第98-99页 |
| 6.2.2 样品的表征 | 第99-104页 |
| 6.3 GdB_6纳米材料的磁性研究 | 第104-106页 |
| 6.4 GdB_6纳米材料的光吸收研究 | 第106-107页 |
| 6.5 本章小结 | 第107-108页 |
| 结论 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-123页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 附件 | 第126页 |
