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用于SAR ADC的高能效电容阵列DAC研究

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
第一章 绪论第13-23页
    1.1 研究背景和意义第13-15页
    1.2 国内外研究现状第15-20页
    1.3 论文的研究内容第20-21页
    1.4 论文的组织结构第21-22页
    1.5 本章小结第22-23页
第二章 电容阵列DAC理论分析第23-59页
    2.1 电荷重分配原理第23-28页
    2.2 电容阵列DAC能耗建模第28-32页
    2.3 电容阵列DAC误差分析第32-37页
        2.3.1 采样误差分析第32-33页
        2.3.2 非线性误差分析第33-37页
    2.4 典型电容阵列DAC开关方案第37-58页
        2.4.1 传统结构开关方案第37-43页
        2.4.2 单调结构开关方案第43-50页
        2.4.3 Vcm-based结构开关方案第50-58页
    2.5 本章小结第58-59页
第三章 低复杂度电容阵列DAC研究与SAR ADC设计第59-86页
    3.1 高能效低复杂度电容阵列DAC开关方案研究第59-77页
        3.1.1 DAC结构第59-60页
        3.1.2 四种DAC开关方案第60-75页
            3.1.2.1 111 开关方案第60-64页
            3.1.2.2 000 开关方案第64-67页
            3.1.2.3 011 开关方案第67-71页
            3.1.2.4 100 开关方案第71-75页
        3.1.3 开关方案对比第75-77页
    3.2 基于100开关方案的10位SAR ADC设计第77-84页
        3.2.1 SAR ADC关键电路模块第77-81页
            3.2.1.1 比较器第77-79页
            3.2.1.2 逐次逼近移位寄存器第79-80页
            3.2.1.3 电容驱动电路第80-81页
        3.2.2 仿真结果第81-84页
            3.2.2.1 静态特性第82页
            3.2.2.2 动态特性第82-84页
            3.2.2.3 功耗第84页
    3.3 本章小结第84-86页
第四章 位数可调高能效电容阵列DAC研究第86-110页
    4.1 基于电容合并方法的电容阵列DAC开关方案研究第86-95页
        4.1.0 电容合并方法第86页
        4.1.1 电容阵列DAC结构第86-87页
        4.1.2 开关方案第87-91页
        4.1.3 能耗建模与分析第91-95页
    4.2 基于电容复用方法的电容阵列DAC开关方案研究第95-103页
        4.2.1 电容复用方法第95-96页
        4.2.2 电容阵列DAC结构第96-97页
        4.2.3 开关方案第97-100页
        4.2.4 能耗建模与分析第100-103页
    4.3 基于闭环电荷回收方法的电容阵列DAC开关方案研究第103-109页
        4.3.1 闭环电荷回收方法第103-105页
            4.3.1.1“up”转换第103-104页
            4.3.1.2“down”转换第104-105页
        4.3.2 电容阵列DAC结构第105页
        4.3.3 开关方案第105-108页
        4.3.4 与其他电容阵列DAC比较第108-109页
    4.4 本章小结第109-110页
第五章 8-10 位可调SAR ADC研究与设计第110-150页
    5.1 8-10 位可调SAR ADC架构第110-111页
    5.2 8-10 位可调DAC开关方案第111-129页
        5.2.1 8 位模式开关方案第111-112页
        5.2.2 9 位模式开关方案第112-119页
        5.2.3 10 位模式开关方案第119-129页
    5.3 关键电路模块设计第129-141页
        5.3.1 采样开关第129-130页
        5.3.2 比较器第130-131页
        5.3.3 逐次逼近移位寄存器第131-133页
        5.3.4 位数控制电路第133-137页
        5.3.5 电容驱动电路第137-139页
        5.3.6 电容阵列位数控制开关第139-141页
    5.4 仿真结果第141-149页
        5.4.1 比较器输入端仿真第141-142页
        5.4.2 静态特性第142-143页
        5.4.3 动态特性第143-148页
        5.4.4 功耗第148-149页
    5.5 本章小结第149-150页
总结与展望第150-152页
    一、总结第150-151页
    二、展望第151-152页
参考文献第152-161页
攻读博士学位期间取得的研究成果第161-163页
致谢第163-164页
答辩委员会对论文的评定意见第164页

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