| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第15-32页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 研究意义 | 第16-17页 |
| 1.3 研究现状 | 第17-30页 |
| 1.3.1 激光致单晶硅温升过程研究进展 | 第17-20页 |
| 1.3.2 激光致硅材料产生热弹塑性损伤研究进展 | 第20-23页 |
| 1.3.3 激光对光电探测器损伤研究进展 | 第23-26页 |
| 1.3.4 激光对CCD损伤研究进展 | 第26-30页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第30-32页 |
| 2 毫秒激光致单晶硅温升的实时测试与数值模拟 | 第32-46页 |
| 2.1 红外测温原理与特性 | 第32-34页 |
| 2.1.1 红外热辐射的基本规律 | 第32-33页 |
| 2.1.2 红外测温的基本方法 | 第33-34页 |
| 2.2 毫秒激光辐照单晶硅温升过程的实验测试 | 第34-40页 |
| 2.2.1 实验装置 | 第34-35页 |
| 2.2.2 发射率的选取 | 第35-36页 |
| 2.2.3 实验结果 | 第36-40页 |
| 2.3 毫秒激光辐照单晶硅温升过程的数值模拟 | 第40-45页 |
| 2.3.1 数值计算模型 | 第40-42页 |
| 2.3.2 材料参数 | 第42页 |
| 2.3.3 模拟结果 | 第42-45页 |
| 2.4 讨论 | 第45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 3 毫秒激光致(100)单晶硅产生塑脆性损伤 | 第46-63页 |
| 3.1 晶体塑性理论 | 第46-49页 |
| 3.1.1 晶体塑性变形几何学 | 第46-48页 |
| 3.1.2 晶体本构方程 | 第48-49页 |
| 3.1.3 率相关硬化模型 | 第49页 |
| 3.2 毫秒激光致(100)单晶硅应力损伤的数值模拟 | 第49-53页 |
| 3.2.1 数值计算模型 | 第49-50页 |
| 3.2.2 温度场计算 | 第50-51页 |
| 3.2.3 热应力场计算 | 第51-52页 |
| 3.2.4 硅的力学参数 | 第52页 |
| 3.2.5 FCC滑移系 | 第52-53页 |
| 3.3 数值计算结果 | 第53-60页 |
| 3.3.1 不同滑移系的剪切应力在上表面的分布 | 第54-55页 |
| 3.3.2 不同滑移系的剪切应力在硅片体内的分布 | 第55-57页 |
| 3.3.3 各个滑移系剪切应力的比较 | 第57-58页 |
| 3.3.4 塑性应变在表面和深度的分布 | 第58-60页 |
| 3.3.5 结论 | 第60页 |
| 3.4 毫秒激光辐照(100)单晶硅的表面损伤形貌实验 | 第60-62页 |
| 3.4.1 实验结果 | 第60-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 4 毫秒脉宽激光辐照硅PIN光电探测器的数值模拟与实验验证 | 第63-85页 |
| 4.1 光伏探测器基本原理 | 第63-65页 |
| 4.1.1 光电转换 | 第63-64页 |
| 4.1.2 光伏探测器的工作原理 | 第64-65页 |
| 4.2 毫秒激光辐照硅PIN光电探测器的数值模拟 | 第65-67页 |
| 4.2.1 数值计算模型 | 第65-67页 |
| 4.2.2 材料参数 | 第67页 |
| 4.3 数值模拟结果 | 第67-79页 |
| 4.3.1 温度场 | 第67-70页 |
| 4.3.2 应力场 | 第70-73页 |
| 4.3.3 离子浓度重分布场 | 第73-75页 |
| 4.3.4 损伤阈值的讨论 | 第75页 |
| 4.3.5 器件结构对损伤阈值的影响 | 第75-79页 |
| 4.5 毫秒激光辐照硅PIN光电探测器的实验验证 | 第79-83页 |
| 4.5.1 实验装置 | 第79-80页 |
| 4.5.2 结果与讨论 | 第80-83页 |
| 4.6 本章小结 | 第83-85页 |
| 5 毫秒激光致使CCD功能性损伤机理 | 第85-105页 |
| 5.1 CCD的基本结构和工作原理 | 第85-87页 |
| 5.1.1 MOS型CCD结构 | 第85-86页 |
| 5.1.2 CCD工作原理 | 第86-87页 |
| 5.2 毫秒激光辐照CCD的数值模拟 | 第87-94页 |
| 5.2.1 数值计算模型 | 第87-88页 |
| 5.2.2 热控制方程 | 第88-90页 |
| 5.2.3 弹塑性控制方程及有限元解法 | 第90-94页 |
| 5.2.4 材料参数 | 第94页 |
| 5.3 数值计算结果与分析 | 第94-103页 |
| 5.3.1 温度场分析 | 第95-97页 |
| 5.3.2 应力场分析 | 第97-100页 |
| 5.3.3 微透镜的影响 | 第100-103页 |
| 5.4 本章小结 | 第103-105页 |
| 6 总结与展望 | 第105-107页 |
| 6.1 总结 | 第105页 |
| 6.2 展望 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-124页 |
| 附录 | 第124-125页 |
