衬底温度及Gd掺杂对HfO2薄膜结构与性能的影响
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 高K栅介质材料的研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 高K栅介质材料的具体要求 | 第10-11页 |
| 1.3 高K栅介质材料的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 Hf基高K栅介质材料 | 第12-13页 |
| 1.4.1 面临的挑战 | 第12页 |
| 1.4.2 掺杂HfO_2基薄膜的优势 | 第12-13页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第13-14页 |
| 2 薄膜制备与表征方法 | 第14-24页 |
| 2.1 薄膜制备技术 | 第14-17页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射法 | 第14-16页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第16-17页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第17-24页 |
| 2.2.1 电子探针显微镜(EPMA) | 第17-19页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第19-20页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第20-22页 |
| 2.2.4 透射光谱 | 第22页 |
| 2.2.5 光致发光光谱(PL谱) | 第22-24页 |
| 3 射频磁控溅射法制备HfO_2薄膜及其性能表征 | 第24-37页 |
| 3.1 HfO_2薄膜的制备 | 第24页 |
| 3.2 HfO_2薄膜的表征方法 | 第24页 |
| 3.3 HfO_2薄膜的表面形貌及多重分形分析 | 第24-28页 |
| 3.4 HfO_2薄膜结构 | 第28-31页 |
| 3.5 HfO_2薄膜的光学性质 | 第31-36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 射频磁控溅射法制备HfGdO薄膜及其性能表征 | 第37-47页 |
| 4.1 HfGdO薄膜的制备 | 第37页 |
| 4.2 HfGdO薄膜的表征方法 | 第37页 |
| 4.3 HfGdO薄膜的成分与沉积速率 | 第37-38页 |
| 4.4 HfGdO薄膜结构 | 第38-42页 |
| 4.5 HfGdO薄膜的表面形貌 | 第42-43页 |
| 4.6 HfGdO薄膜的光学性能 | 第43-46页 |
| 4.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
