基于相变材料的快速可调谐超材料吸收器
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 相变材料概述 | 第9-14页 |
| 1.2.1 非结晶态与结晶态的热力学解释 | 第9-11页 |
| 1.2.2 非结晶化与结晶化过程的统一描述 | 第11-12页 |
| 1.2.3 相变材料的优化处理与遴选 | 第12-14页 |
| 1.3 相变材料的微观描述 | 第14-15页 |
| 1.4 本章小结 | 第15-16页 |
| 2 超材料完美吸收器的结构和工作原理 | 第16-23页 |
| 2.1 超材料概述 | 第16-17页 |
| 2.2 超材料完美吸收器的工作原理 | 第17-19页 |
| 2.3 超材料的研究进展及发展趋势 | 第19-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 3 电磁问题有限元法基本理论 | 第23-37页 |
| 3.1 有限元法原理概述 | 第23-25页 |
| 3.1.1 有限元法的历史 | 第23页 |
| 3.1.2 有限元法的基本原理 | 第23-24页 |
| 3.1.3 有限元法求解过程的简要介绍 | 第24-25页 |
| 3.2 有限元法在边值问题上的应用 | 第25-29页 |
| 3.2.1 边值问题的数学描述 | 第26-27页 |
| 3.2.2 瑞利-里兹法 | 第27-28页 |
| 3.2.3 伽辽金法 | 第28-29页 |
| 3.3 电磁领域二维条件下有限元法分析 | 第29-33页 |
| 3.3.1 电磁领域二维条件下边值问题的描述 | 第29页 |
| 3.3.2 二维单元划分与编码 | 第29-30页 |
| 3.3.3 二维插值函数 | 第30-31页 |
| 3.3.4 二维条件下单元的分析与合成 | 第31-33页 |
| 3.4 电磁领域三维条件下有限元法分析 | 第33-36页 |
| 3.4.1 电磁领域三维条件下边值问题的描述 | 第33-34页 |
| 3.4.2 三维单元划分与编码 | 第34页 |
| 3.4.3 三维插值函数 | 第34-35页 |
| 3.4.4 三维条件下单元的分析与合成 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 超材料完美吸收器性质仿真 | 第37-49页 |
| 4.1 超材料完美吸收器的结构设计 | 第37-39页 |
| 4.2 超材料完美吸收器的仿真计算 | 第39-45页 |
| 4.3 超材料完美吸收器调谐性能的分析 | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
