| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 插图目录 | 第9-12页 |
| 附表目录 | 第12-13页 |
| 符号说明清单 | 第13-15页 |
| 1 绪论 | 第15-30页 |
| 1．1 集成电路简介 | 第15-16页 |
| 1．2 IC制造中的超精密加工技术 | 第16-18页 |
| 1．3 半导体硅片制造工艺概述 | 第18-23页 |
| 1．3．1 单晶硅制备 | 第20页 |
| 1．3．2 硅片加工工艺分析 | 第20-22页 |
| 1．3．3 硅片加工工艺发展方向 | 第22-23页 |
| 1．4 硅片超精密磨削技术研究概况 | 第23-28页 |
| 1．4．1 国外研究概况 | 第23-26页 |
| 1．4．2 国内研究概况 | 第26-28页 |
| 1．5 本文研究工作的主要内容 | 第28-30页 |
| 2 相关理论基础与加工原理介绍 | 第30-42页 |
| 2．1 单晶硅片的特性介绍 | 第30-35页 |
| 2．1．1 单晶硅的结构特性 | 第30-32页 |
| 2．1．2 单晶硅片的外型及参考面 | 第32页 |
| 2．1．3 单晶硅的破裂模式 | 第32-35页 |
| 2．2 硅片超精密研磨加工 | 第35-36页 |
| 2．2．1 超精密研磨加工的原理 | 第35页 |
| 2．2．2 超精密研磨加工的特点 | 第35-36页 |
| 2．3 硅片超精密磨削加工 | 第36-41页 |
| 2．3．1 旋转工作台式磨削的原理与特点 | 第36-38页 |
| 2．3．2 硅片自旋转磨削的原理与特点 | 第38-41页 |
| 2．4 本章小结 | 第41-42页 |
| 3 硅片自旋转磨削的表面质量的研究 | 第42-64页 |
| 3．1 硅片自旋转磨削运动轨迹 | 第43-47页 |
| 3．1．1 运动几何学 | 第43页 |
| 3．1．2 节点与节圆 | 第43-44页 |
| 3．1．3 运动轨迹求解 | 第44-47页 |
| 3．2 磨削运动轨迹的理论分析 | 第47-49页 |
| 3．2．1 向径、磨纹长度、磨纹数量以及磨削稳定周期公式 | 第47-49页 |
| 3．2．2 计算实例 | 第49页 |
| 3．3 磨削运动轨迹对表面质量的影响分析 | 第49-51页 |
| 3．3．1 磨纹间距 | 第49-50页 |
| 3．3．2 磨纹密度 | 第50-51页 |
| 3．4 磨削运动轨迹的仿真 | 第51-58页 |
| 3．4．1 计算机仿真技术 | 第51-53页 |
| 3．4．2 Matlab仿真工具 | 第53页 |
| 3．4．3 硅片磨削运动轨迹的计算机仿真 | 第53-58页 |
| 3．5 硅片磨削试验 | 第58-63页 |
| 3．5．1 试验目的 | 第58页 |
| 3．5．2 试验条件与方法 | 第58页 |
| 3．5．3 试验与检测关键设备介绍 | 第58-60页 |
| 3．5．4 试验结果与分析 | 第60-63页 |
| 3．6 本章小结 | 第63-64页 |
| 4 硅片自旋转磨削的材料去除率及工艺试验的研究 | 第64-74页 |
| 4．1 硅片自旋转磨削的材料去除率 | 第64-66页 |
| 4．1．1 硅片自旋转磨削等效材料去除分析 | 第64-65页 |
| 4．1．2 硅片自旋转磨削材料去除率公式推导 | 第65-66页 |
| 4．2 硅片自旋转磨削的工艺试验 | 第66-73页 |
| 4．2．1 试验条件与方法 | 第66-67页 |
| 4．2．2 试验与检测关键设备介绍 | 第67页 |
| 4．2．3 试验结果与讨论 | 第67-73页 |
| 4．3 本章小结 | 第73-74页 |
| 5结论与展望 | 第74-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第84页 |