| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第10-15页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.3 研究现状分析 | 第15页 |
| 1.3 脉冲磁控溅射对电源要求 | 第15-17页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 MPP 磁控溅射电源的设计与研制 | 第19-32页 |
| 2.1 调制脉冲磁控溅射电源电路设计 | 第19-30页 |
| 2.1.1 调制脉冲电源主电路设计 | 第20-22页 |
| 2.1.2 控制电路设计 | 第22-29页 |
| 2.1.3 电源各项指标要求 | 第29-30页 |
| 2.2 调制脉冲电源制作与调试 | 第30-31页 |
| 2.2.1 调制脉冲电源研制 | 第30-31页 |
| 2.2.2 主电路和控制电路的调试 | 第31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 发射光谱法等离子成分测试 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 发射光谱测试原理 | 第32-33页 |
| 3.3 光谱分析方法 | 第33-34页 |
| 3.4 针对几种典型靶材的发射光谱法等离子体分析 | 第34-47页 |
| 3.4.1 Al 靶溅射光谱谱线分析 | 第35-39页 |
| 3.4.2 Cu 靶溅射光谱谱线分析 | 第39-42页 |
| 3.4.3 Ti-Al 靶溅射光谱谱线分析 | 第42-45页 |
| 3.4.4 石墨靶溅射光谱谱线分析 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 TiAl 薄膜的制备与性能分析 | 第48-57页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 实验材料 | 第48-49页 |
| 4.2.1 Ti-Al 磁控溅射靶 | 第48页 |
| 4.2.2 单晶硅片、40Cr 基体和材料 | 第48-49页 |
| 4.3 实验设备 | 第49-50页 |
| 4.4 采用直流和脉冲两种磁控溅射法分别制备 Ti-Al 薄膜 | 第50-52页 |
| 4.4.1 直流磁控溅射法制备 Ti-Al 薄膜 | 第50-51页 |
| 4.4.2 脉冲磁控溅射法制备 Ti-Al 薄膜 | 第51-52页 |
| 4.5 分析测试 | 第52-56页 |
| 4.5.1 膜基结合力测试 | 第52-54页 |
| 4.5.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第54-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62页 |