| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 霍尔效应及其量子化和反常霍尔效应 | 第9-13页 |
| 1.2.1 霍尔效应 | 第9页 |
| 1.2.2 朗道能级和量子霍尔效应 | 第9-12页 |
| 1.2.3 反常霍尔效应 | 第12-13页 |
| 1.3 拓扑绝缘体 | 第13-16页 |
| 1.3.1 拓扑学和绝缘态的拓扑分类 | 第13-15页 |
| 1.3.2 三维拓扑绝缘体和量子反常霍尔效应 | 第15-16页 |
| 1.4 论文的组织结构 | 第16-18页 |
| 第二章 实验技术和原理 | 第18-26页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第18-21页 |
| 2.1.1 获得超高真空 | 第19-20页 |
| 2.1.2 超高真空度的测量 | 第20-21页 |
| 2.2 分子束外延薄膜生长技术 | 第21-22页 |
| 2.3 角分辨光电子能谱技术 | 第22-24页 |
| 2.4 紫外光刻技术 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 量子反常霍尔效应的实验观测 | 第26-39页 |
| 3.1 研究背景 | 第26-28页 |
| 3.2 实验方法和结果分析 | 第28-37页 |
| 3.2.1 实验方法 | 第28-30页 |
| 3.2.2 实验结果分析 | 第30-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 在预刻蚀的衬底上生长拓扑绝缘体薄膜的微器件 | 第39-50页 |
| 4.1 研究背景 | 第39-40页 |
| 4.2 实验方法 | 第40-41页 |
| 4.3 实验结果和讨论 | 第41-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-53页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第50页 |
| 5.2 问题和展望 | 第50-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第57页 |