| 第一章 引言 | 第9-38页 |
| 1.1 波分复用技术 | 第9-14页 |
| 1.1.1 波分复用(WDM)技术原理 | 第9-11页 |
| 1.1.2 波分复用技术的主要特点 | 第11-12页 |
| 1.1.3 波分复用技术的发展状况 | 第12-13页 |
| 1.1.4 波分复用技术的发展方向 | 第13页 |
| 1.1.5 波分复用技术的发展前景 | 第13-14页 |
| 1.2 波分复用器件 | 第14-23页 |
| 1.2.1 熔融拉锥全光纤型WDM 器件 | 第15-17页 |
| 1.2.2 干涉膜滤光型WDM 器件 | 第17-19页 |
| 1.2.3 光纤光栅型WDM 器件 | 第19-21页 |
| 1.2.4 波导阵列光栅型WDM 器件 | 第21-23页 |
| 1.2.5 各种类型的WDM 器件比较 | 第23页 |
| 1.3 硅基光波导结构与器件 | 第23-29页 |
| 1.3.1 低损耗硅基光波导结构及工艺 | 第24-27页 |
| 1.3.2 硅基光波导器件 | 第27页 |
| 1.3.3 无源氧化硅光波导器件与回路 | 第27-28页 |
| 1.3.4 其它工作 | 第28-29页 |
| 1.4 平面集成光波导器件 | 第29-33页 |
| 1.4.1 制作器件的主要材料 | 第29-30页 |
| 1.4.2 二氧化硅光波导基本工艺 | 第30页 |
| 1.4.3 二氧化硅光波导器件 | 第30-33页 |
| 1.5 本论文的主要工作及创新点 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第二章 光波导理论及单模矩形波导设计 | 第38-61页 |
| 2.1 平板波导导波原理 | 第38-46页 |
| 2.1.1 线光学分析 | 第38-43页 |
| 2.1.2 电磁场分析 | 第43-44页 |
| 2.1.3 平板对称波导的偶次模和奇次模 | 第44-46页 |
| 2.2 矩形波导理论 | 第46-49页 |
| 2.3 单模矩形介质波导的设计 | 第49-58页 |
| 2.3.1 反应离子刻蚀(RIE)型单模矩形光波导设计 | 第49-54页 |
| 2.3.2 紫外光诱导型单模矩形光波导设计 | 第54-58页 |
| 2.4 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第三章 溶胶-凝胶法制备硅基二氧化硅波导材料 | 第61-89页 |
| 3.1 硅基二氧化硅材料制备方法 | 第61-64页 |
| 3.1.1 热氧化法 | 第61-62页 |
| 3.1.2 物理汽相沉积法(PVD) | 第62-63页 |
| 3.1.3 化学汽相沉积法(CVD) | 第63页 |
| 3.1.4 氧化多孔硅法 | 第63页 |
| 3.1.5 火焰水解沉积法(FHD) | 第63-64页 |
| 3.1.6 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第64页 |
| 3.2 溶胶-凝胶法制备二氧化硅材料 | 第64-72页 |
| 3.2.1 溶胶-凝胶方法的实验过程 | 第65-66页 |
| 3.2.2 溶胶-凝胶方法的实验机理 | 第66-72页 |
| 3.3 实验条件对制备Si02薄膜材料的影响 | 第72-81页 |
| 3.3.1 水和TEOS 的摩尔比 | 第72-74页 |
| 3.3.2 PH 值对胶体的影响 | 第74-75页 |
| 3.3.3 醇类稳定剂的引入 | 第75-76页 |
| 3.3.4 热处理过程 | 第76-81页 |
| 3.3.5 小结 | 第81页 |
| 3.4 SiO_2薄膜材料的表征 | 第81-85页 |
| 3.4.1 X 射线光电子能谱 | 第81-82页 |
| 3.4.2 场发射环境扫描电子显微镜分析 | 第82-83页 |
| 3.4.3 光学性质分析 | 第83-85页 |
| 3.5 结论 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第四章 SnO_2-SiO_2材料的制备及紫外诱导折变研究 | 第89-117页 |
| 4.1 掺杂Sn 的SiO_2材料的制备 | 第90-101页 |
| 4.1.1 实验过程及机理 | 第90-93页 |
| 4.1.2 掺杂浓度与折射率和厚度的关系 | 第93-95页 |
| 4.1.3 掺杂与未掺杂膜的表面形貌比较 | 第95-98页 |
| 4.1.4 SnO_2-SiO_2膜的光电子能谱分析 | 第98-101页 |
| 4.1.5 SnO_2-SiO_2膜的X 射线衍射分析 | 第101页 |
| 4.2 SnO_2-SiO_2材料紫外光诱导折变实验 | 第101-108页 |
| 4.2.1 紫外诱导折射率变化技术 | 第101-103页 |
| 4.2.2 紫外光诱导实验装置 | 第103-104页 |
| 4.2.3 掺杂Sn 的SiO_2薄膜的光敏特性 | 第104-106页 |
| 4.2.4 掺杂浓度和光致折变量之间的关系 | 第106-107页 |
| 4.2.5 紫外照射条件和折射率之间的关系 | 第107-108页 |
| 4.3 掺Sn 的SiO_2薄膜的紫外诱导折变的机理 | 第108-112页 |
| 4.3.1 紫外吸收分析 | 第108-109页 |
| 4.3.2 X 射线光电子能谱分析 | 第109-110页 |
| 4.3.3 电子自旋共振分析 | 第110-112页 |
| 4.3.4 光致发光谱的研究 | 第112页 |
| 4.4 结论 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-117页 |
| 第五章 紫外写入阵列波导光栅技术基础研究 | 第117-140页 |
| 5.1 紫外写入技术制作平面光波导器件的研究进展 | 第117-121页 |
| 5.1.1 紫外写入在波导光栅制作上的应用 | 第117-119页 |
| 5.1.2 紫外写入在沟道波导制作上的应用 | 第119-121页 |
| 5.2 紫外光致折变效应在RIE-AWG 器件中的应用 | 第121-127页 |
| 5.3 紫外写入阵列波导光栅基本设想 | 第127-133页 |
| 5.3.1 紫外写入AWG 的制作工艺 | 第127-129页 |
| 5.3.2 紫外写入AWG 的工艺参数设计 | 第129-130页 |
| 5.3.3 紫外写入AWG 器件参数优化 | 第130-132页 |
| 5.3.4 紫外写入工艺的优化 | 第132-133页 |
| 5.4 紫外写入平面波导光栅的实验研究 | 第133-138页 |
| 5.4.1 紫外曝光掩模板的选择与制作 | 第133-135页 |
| 5.4.2 紫外写入制备平面波导光栅 | 第135-138页 |
| 5.4.3 小结 | 第138页 |
| 5.5 结论 | 第138-140页 |
| 参考文献 | 第140-143页 |
| 致谢 | 第143-144页 |
| 发表的文章 | 第144-147页 |
| 中文摘要 | 第147-150页 |
| 英文摘要 | 第150页 |
