| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 Si基半导体器件研究现况和局限性 | 第9-10页 |
| 1.2 高k栅介质研究概况 | 第10-11页 |
| 1.3 GaAs MOS器件研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 GaAs nMOSFETs阈值电压模型研究现状 | 第12-13页 |
| 1.5 本文的主要研究内容及其安排 | 第13-14页 |
| 2 堆栈高k栅介质GaAs nMOSFET阈值电压模型 | 第14-30页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 阈值电压模型的建立 | 第14-19页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第19-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 等离子体表面预处理对GaAs MOS器件电特性的影响 | 第30-40页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 器件制备工艺及电特性测量技术 | 第31-32页 |
| 3.3 实验过程 | 第32-33页 |
| 3.4 实验结果与讨论 | 第33-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 4 堆栈高k栅介质GaAs MOS器件界面与电特性研究 | 第40-44页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 实验过程 | 第40-41页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第41-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 5 总结及展望 | 第44-47页 |
| 5.1 总结与创新点 | 第44-46页 |
| 5.2 展望 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第55页 |
