| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| ·电子封装中无铅钎焊概述 | 第9-13页 |
| ·电子封装技术的发展 | 第9-11页 |
| ·无铅化进程 | 第11页 |
| ·电子封装面临的挑战 | 第11-13页 |
| ·电子封装中的界面反应综述 | 第13-22页 |
| ·多晶铜基体的界面反应 | 第14-16页 |
| ·单晶铜基体的界面反应 | 第16-20页 |
| ·多晶镍基体的界面反应 | 第20-22页 |
| ·本论文的研究目的及研究内容 | 第22-23页 |
| 2 实验材料和方法 | 第23-29页 |
| ·单晶基体的制备 | 第23-25页 |
| ·单晶铜片的制备 | 第23-24页 |
| ·单晶镍片的制备 | 第24-25页 |
| ·钎料的制备 | 第25-26页 |
| ·单晶铜基体的时效实验 | 第26-27页 |
| ·单晶镍基体的浸焊实验 | 第27页 |
| ·SEM样品制备 | 第27-29页 |
| 3 单晶铜与Sn-xCu钎料的固/固界面反应 | 第29-50页 |
| ·Sn-xCu钎料与单晶铜在150℃下固/固界面反应 | 第29-34页 |
| ·Sn-xCu钎料与单晶铜在20℃下固/固界面反应 | 第34-36页 |
| ·Sn-xCu钎料与单晶铜在40℃下固/固界面反应 | 第36-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-49页 |
| ·界面Cu_6Sn_5晶粒形貌转变 | 第38-39页 |
| ·固态时效界面IMC生长动力学 | 第39-49页 |
| 本章小结 | 第49-50页 |
| 4 单晶镍与Sn-xCu-yNi钎料的固/液界面反应 | 第50-62页 |
| ·单晶镍与纯Sn钎料的固/液界面反应 | 第50-51页 |
| ·单晶镍与Sn-0.7Cu钎料的固/液界面反应 | 第51页 |
| ·单晶镍与Sn-0.7Cu-0.1Ni钎料的固/液界面反应 | 第51-52页 |
| ·单晶镍与Sn-1.5Cu钎料的固/液界面反应 | 第52-53页 |
| ·单晶镍与Sn-1.5Cu-0.1Ni钎料的固/液界面反应 | 第53-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-61页 |
| ·界面IMC类型 | 第54-57页 |
| ·(Cu,Ni)_6Sn_5晶粒规则排列机理 | 第57-59页 |
| ·(Cu,Ni)_6Sn_5晶粒规则排列的褪去 | 第59-61页 |
| 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 单晶金属基体界面上IMC形貌转变探讨 | 第62-64页 |
| ·单晶金属基体界面上规则棱晶状IMC的形成 | 第62页 |
| ·单晶金属基体界面上规则棱晶状IMC的消失 | 第62-63页 |
| 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
